--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23
- 溝道 N—Channel
- 電壓 30V
- 電流 6.5A
- RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- Vth 1.2~2.2V
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**AP2316GN-VB 產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **產(chǎn)品名稱:** AP2316GN-VB
- **品牌:** VBsemi
- **封裝:** SOT23
- **參數(shù):**
- 溝道類型:N—Channel
- 額定電壓:30V
- 最大電流:6.5A
- 開態(tài)電阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth):1.2~2.2V
**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
AP2316GN-VB 是 VBsemi 生產(chǎn)的 N-Channel 溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管,采用 SOT23 封裝。該器件旨在提供高性能的功率開關(guān)解決方案,適用于多種電子應(yīng)用。
**領(lǐng)域和模塊應(yīng)用:**
1. **電源管理模塊:**
- 適用于電源管理模塊,可實(shí)現(xiàn)有效的電源開關(guān)控制,提供緊湊的 SOT23 封裝,方便集成在小型電源電路中。
2. **電流控制模塊:**
- 具有較高的電流承受能力和低開態(tài)電阻,適用于電流控制模塊,提供高效的電流調(diào)節(jié)。
3. **電源逆變器:**
- 在電源逆變器中,AP2316GN-VB 的 N-Channel 溝道特性使其成為電源逆變控制的理想選擇。
4. **LED 驅(qū)動(dòng)器:**
- 用于 LED 驅(qū)動(dòng)器,通過準(zhǔn)確的功率控制,支持 LED 照明系統(tǒng)的穩(wěn)定和高效工作。
5. **電池管理系統(tǒng):**
- 在電池管理系統(tǒng)中,AP2316GN-VB 可以用于實(shí)現(xiàn)電池充放電的高效控制。
請(qǐng)注意:以上只是示例應(yīng)用場(chǎng)景,具體的應(yīng)用取決于系統(tǒng)設(shè)計(jì)的要求和條件。在使用該器件前,請(qǐng)查閱其數(shù)據(jù)手冊(cè)以獲取詳細(xì)的技術(shù)規(guī)格和特性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛