### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
IPD25CN10N G-VB 是一款采用TO252封裝的單N溝道MOSFET，具備高效的開關(guān)性能與低導(dǎo)通電阻，專為高功率處理應(yīng)用設(shè)計(jì)。它的主要特點(diǎn)是100V的漏源電壓（VDS），±20V的柵源電壓（VGS），以及在VGS為10V時(shí)僅為18mΩ的導(dǎo)通電阻。這款MOSFET采用Trench溝槽技術(shù)，具有更高的開關(guān)速度和更低的功耗，適用于高效的功率轉(zhuǎn)換和管理場(chǎng)景。
### 參數(shù)說(shuō)明：
- **封裝類型**：TO252
- **極性**：?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓（VDS）**：100V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **柵極閾值電壓（Vth）**：1.8V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：18mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流（ID）**：45A
- **技術(shù)**：Trench溝槽技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例：
1. **電動(dòng)汽車**：IPD25CN10N G-VB 可用于電動(dòng)汽車中的直流-直流轉(zhuǎn)換器和逆變器模塊。在這些系統(tǒng)中，MOSFET能夠提供高效的電能傳輸和轉(zhuǎn)換，同時(shí)保持低損耗和高耐壓能力。
2. **工業(yè)自動(dòng)化**：該型號(hào)的MOSFET適合應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠在工業(yè)伺服系統(tǒng)中提供高效的功率控制，降低熱量產(chǎn)生，提升系統(tǒng)可靠性。
3. **開關(guān)電源（SMPS）**：在開關(guān)模式電源（SMPS）中，IPD25CN10N G-VB 可作為主要的功率開關(guān)器件，提供快速的開關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗，從而提高電源的轉(zhuǎn)換效率，適用于通信設(shè)備和數(shù)據(jù)中心電源模塊。
4. **太陽(yáng)能逆變器**：它還能應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器中，用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。MOSFET的高電壓和高電流處理能力使其在處理從光伏板獲取的能量時(shí)非常有效。
此款MOSFET適合在需要高效率、低熱損和高可靠性的領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，能夠滿足現(xiàn)代功率管理與轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的多種需求。
