### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**IPD25CNE8N G-VB** 是一款高性能單N溝道MOSFET，采用TO252封裝，廣泛應(yīng)用于需要高電流和低導(dǎo)通電阻的電源管理及開關(guān)應(yīng)用。這款MOSFET的最大漏源電壓為80V，具備良好的開關(guān)性能和低RDS(ON)值，使其在高效能轉(zhuǎn)換和電流控制方面表現(xiàn)優(yōu)異。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號(hào)**: IPD25CNE8N G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 80V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 75A
- **技術(shù)**: Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理**: 在電源供應(yīng)模塊中，IPD25CNE8N G-VB的低RDS(ON)和高電流能力使其非常適合用作高效能的電源開關(guān)，例如DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)。這有助于提高電源效率，減少功耗，并確保系統(tǒng)在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 由于其能夠處理高電流和提供低導(dǎo)通電阻，IPD25CNE8N G-VB常被用在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，如電動(dòng)車輛和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備。它能夠有效地控制電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行過程中的電流，提升系統(tǒng)的整體性能。
3. **LED驅(qū)動(dòng)**: 在LED照明系統(tǒng)中，IPD25CNE8N G-VB可用于驅(qū)動(dòng)高功率LED燈具。它能夠以較低的功耗驅(qū)動(dòng)LED，從而提高光效和延長(zhǎng)LED的使用壽命。
4. **開關(guān)電路**: 該MOSFET的高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻使其在開關(guān)電路中表現(xiàn)出色，適用于電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路等應(yīng)用。這些應(yīng)用通常要求高效率和低熱量生成，IPD25CNE8N G-VB能夠滿足這些要求。
IPD25CNE8N G-VB的高性能特點(diǎn)使其在各種需要高效能和低功耗的應(yīng)用中表現(xiàn)出色，是電子設(shè)計(jì)師和工程師在設(shè)計(jì)高效能電源和控制系統(tǒng)時(shí)的理想選擇。
