chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 77 粉絲

IPD30N08S2-22-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPD30N08S2-22-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 18mΩ@VGS=10V
  • ID 45A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPD30N08S2-22-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPD30N08S2-22-VB 是一款采用 TO252 封裝的 N 溝道功率 MOSFET,具有高電壓耐受性和高效率的特性。該器件的漏源電壓 (VDS) 為 100V,能夠承受高達(dá) 45A 的電流,適用于高功率需求的電路設(shè)計(jì)。該 MOSFET 采用先進(jìn)的溝槽式(Trench)技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),從而降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率。其導(dǎo)通電阻為 18mΩ@VGS=10V,門極閾值電壓 (Vth) 為 1.8V,確保其在較低的門極驅(qū)動(dòng)電壓下也能實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)。

### 二、IPD30N08S2-22-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:?jiǎn)瓮ǖ?N 溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**:100V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.8V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:18mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:45A  
- **技術(shù)**:溝槽式 (Trench) 技術(shù)  
- **熱阻 (Rth)**:根據(jù)具體散熱條件而定,通常設(shè)計(jì)用于高功率應(yīng)用中的散熱需求

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **電動(dòng)工具和電機(jī)控制**  
  IPD30N08S2-22-VB 的 100V 的漏源電壓以及 45A 的電流承載能力,使其非常適合在電動(dòng)工具和電機(jī)控制應(yīng)用中使用。這類設(shè)備需要高功率和高效能的 MOSFET 來實(shí)現(xiàn)電機(jī)的精準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)和控制,同時(shí)降低功耗和熱量。

2. **電源管理和轉(zhuǎn)換器模塊**  
  該 MOSFET 可用于開關(guān)電源 (SMPS) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等電源管理應(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力有助于提高轉(zhuǎn)換效率并減少功率損失,適用于工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源模塊。

3. **汽車電子和電動(dòng)系統(tǒng)**  
  由于其高耐壓和高可靠性,IPD30N08S2-22-VB 在汽車電子中也有廣泛的應(yīng)用,尤其是在電動(dòng)系統(tǒng)和電池管理模塊中,如電動(dòng)汽車的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、啟動(dòng)/停止控制模塊,以及其他需要高效功率開關(guān)的應(yīng)用。

4. **工業(yè)控制和負(fù)載開關(guān)**  
  在工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中,IPD30N08S2-22-VB 作為負(fù)載開關(guān)或保護(hù)電路的核心組件,可確保系統(tǒng)在高負(fù)載下的穩(wěn)定性和可靠性。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    69瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    55瀏覽量