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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPD35CN10N G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPD35CN10N G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
  • ID 40A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPD35CN10N G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
IPD35CN10N G-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 溝道功率 MOSFET,具有 100V 的漏源極電壓 (VDS) 以及 ±20V 的柵源極電壓 (VGS),適用于中高壓電源轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用。該器件基于先進(jìn)的溝槽技術(shù)(Trench Technology),具有低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),能夠在高效能場景中提供穩(wěn)定的性能和低損耗表現(xiàn),尤其適合應(yīng)用于需要高開關(guān)速度與高功率處理能力的電路中。

### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **極性配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 35mΩ @ VGS=4.5V
 - 30mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 40A
- **技術(shù)**: 溝槽型 MOSFET (Trench Technology)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **電源管理模塊**:IPD35CN10N G-VB MOSFET 在直流-直流轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)中可以有效降低功率損耗。其低導(dǎo)通電阻使其在負(fù)載變化較大的場景下表現(xiàn)出色,例如在服務(wù)器電源模塊中,確保高效的能量轉(zhuǎn)換。
  
2. **電動工具與馬達(dá)驅(qū)動**:該 MOSFET 可應(yīng)用于電動工具的驅(qū)動電路中,幫助控制電機的高速啟動和停止,其 100V 的漏源極電壓確保了在電動工具大電流工作狀態(tài)下的穩(wěn)定性。
  
3. **汽車電子系統(tǒng)**:在汽車的車身電子控制單元(如車窗升降器、座椅調(diào)節(jié)系統(tǒng))中,IPD35CN10N G-VB 可用于驅(qū)動各種電動部件。其高額定電流(40A)允許它處理車載應(yīng)用中較大的功率需求。

4. **光伏逆變器**:在光伏發(fā)電系統(tǒng)中,IPD35CN10N G-VB 可用于 DC-AC 轉(zhuǎn)換,確保在太陽能發(fā)電裝置中的高效能量轉(zhuǎn)換和低能量損耗。

該產(chǎn)品憑借其優(yōu)異的導(dǎo)通電阻與高額定電流,能夠在需要高效能開關(guān)和低導(dǎo)通損耗的各類功率模塊中廣泛應(yīng)用。

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