### IPD400N06N G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPD400N06N G-VB 是一款采用 TO252 封裝的 N 溝道 MOSFET，專(zhuān)為高效功率管理應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其具備 60V 的漏源電壓（VDS）、±20V 的柵源電壓（VGS），并利用了先進(jìn)的 Trench 技術(shù)來(lái)降低導(dǎo)通電阻和提升開(kāi)關(guān)效率。該器件的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS = 4.5V 時(shí)為 30mΩ，VGS = 10V 時(shí)為 25mΩ，能夠承載高達(dá) 45A 的電流。其柵極閾值電壓為 1.7V，適用于低電壓驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。IPD400N06N G-VB 提供了高效的導(dǎo)通性能和快速開(kāi)關(guān)特性，非常適合用于多種功率轉(zhuǎn)換與管理場(chǎng)景。

### IPD400N06N G-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

1. **封裝類(lèi)型**: TO252  
2. **極性**: N 溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**: 60V  
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
5. **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
  - 30mΩ @ VGS = 4.5V  
  - 25mΩ @ VGS = 10V  
7. **漏極電流 (ID)**: 45A  
8. **技術(shù)類(lèi)型**: Trench  
9. **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C  
10. **功率耗散 (Ptot)**: 通常為 50W  
11. **最大脈沖電流 (ID, pulse)**: 高達(dá) 180A  
12. **輸入電容 (Ciss)**: 約 1200pF  
13. **反向恢復(fù)時(shí)間 (Trr)**: 典型值約 40ns  
14. **柵極電荷 (Qg)**: 典型值為 15nC

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **汽車(chē)電子**:  
  IPD400N06N G-VB 常用于汽車(chē)電子控制系統(tǒng)，如電動(dòng)轉(zhuǎn)向、車(chē)燈驅(qū)動(dòng)和電動(dòng)座椅調(diào)節(jié)等領(lǐng)域。其較低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其非常適合高效的功率傳輸與轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:  
  在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中，該 MOSFET 的 Trench 技術(shù)可提高開(kāi)關(guān)速度與能效，減少功率損耗。因此，IPD400N06N G-VB 廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電源、消費(fèi)類(lèi)電子設(shè)備中的穩(wěn)壓模塊及工業(yè) DC-DC 轉(zhuǎn)換電路中。

3. **電動(dòng)工具**:  
  由于其出色的電流處理能力和高效率，該 MOSFET 可用于驅(qū)動(dòng)高功率電動(dòng)工具的電機(jī)控制電路，從而減少熱損耗并提高系統(tǒng)整體的可靠性。

4. **開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)**:  
  IPD400N06N G-VB 適合在開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用，尤其在中等功率級(jí)別的 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換中，可以有效降低導(dǎo)通損耗并提升轉(zhuǎn)換效率。

該 MOSFET 適用于任何需要高效功率傳輸、低損耗和快速開(kāi)關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。