### 產(chǎn)品簡介 - IPD50N04S3L-08-VB

IPD50N04S3L-08-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET，采用TO252封裝，專為要求高開關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET具備較低的導(dǎo)通電阻和較高的漏極電流能力，適合在高效率電源管理和高功率開關(guān)應(yīng)用中使用。其基于Trench（溝槽）技術(shù)制造，能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，并確保高效能和長壽命。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**：TO252  
- **溝道類型**：單N溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**：40V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**：±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**：2.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：  
 - 6mΩ @ VGS=4.5V  
 - 5mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**：85A  
- **技術(shù)類型**：Trench（溝槽）技術(shù)  
- **熱阻**：低熱阻特性，適合高功率密度應(yīng)用

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **電源管理系統(tǒng)**  
  IPD50N04S3L-08-VB 的低導(dǎo)通電阻和高漏極電流使其在高效率電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異，能夠有效降低功率損耗，提升系統(tǒng)整體性能。適用于計(jì)算機(jī)電源、服務(wù)器電源和其他高效能電源解決方案。

2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**  
  該MOSFET 的低RDS(ON) 特性使其在DC-DC轉(zhuǎn)換器中能夠提供優(yōu)異的開關(guān)性能，減少能量損耗，提高轉(zhuǎn)換效率，適合用于通信設(shè)備、消費(fèi)電子產(chǎn)品以及電源模塊中。

3. **電機(jī)驅(qū)動器**  
  在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中，IPD50N04S3L-08-VB 能處理較高的電流負(fù)載，提供可靠的開關(guān)和控制功能。特別適用于電動汽車、電動工具和工業(yè)自動化中的電機(jī)驅(qū)動模塊。

4. **LED驅(qū)動器**  
  由于其高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻，這款MOSFET適合在LED驅(qū)動器中使用，確保高效能和穩(wěn)定的光輸出，廣泛應(yīng)用于LED照明系統(tǒng)和顯示屏驅(qū)動模塊。

5. **電池保護(hù)電路**  
  IPD50N04S3L-08-VB 在電池保護(hù)電路中能夠提供高電流開關(guān)功能，保護(hù)電池免受過充、過放和短路的影響，適用于電池管理系統(tǒng)和電動汽車的電池保護(hù)解決方案。