### IPD50N06S3-07-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPD50N06S3-07-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝設(shè)計(jì)，適用于各種功率管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。它具有 60V 的漏源電壓（VDS）和 ±20V 的柵源電壓（VGS），能夠提供強(qiáng)大的開(kāi)關(guān)能力。該 MOSFET 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)，具有出色的低導(dǎo)通電阻，VGS = 4.5V 時(shí)為 13mΩ，VGS = 10V 時(shí)為 10mΩ，這使得它在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異，能夠承載高達(dá) 58A 的電流。其柵極閾值電壓為 2.5V，適用于低電壓驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用場(chǎng)景。IPD50N06S3-07-VB 設(shè)計(jì)用于高效功率轉(zhuǎn)換和管理，能夠提供低損耗和快速開(kāi)關(guān)特性。
### IPD50N06S3-07-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
1. **封裝類型**: TO252
2. **極性**: N 溝道
3. **漏源電壓 (VDS)**: 60V
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
5. **柵極閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS = 4.5V
- 10mΩ @ VGS = 10V
7. **漏極電流 (ID)**: 58A
8. **技術(shù)類型**: Trench
9. **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C
10. **功率耗散 (Ptot)**: 通常為 60W
11. **最大脈沖電流 (ID, pulse)**: 高達(dá) 200A
12. **輸入電容 (Ciss)**: 約 1500pF
13. **反向恢復(fù)時(shí)間 (Trr)**: 典型值約 45ns
14. **柵極電荷 (Qg)**: 典型值為 20nC
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電力供應(yīng)系統(tǒng)**:
IPD50N06S3-07-VB 在電力供應(yīng)系統(tǒng)中，如開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和不間斷電源（UPS），能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換和管理。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力可以顯著降低功率損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. **汽車電子**:
在汽車電子系統(tǒng)中，該 MOSFET 適用于電動(dòng)座椅控制、電動(dòng)窗戶驅(qū)動(dòng)及車燈控制等應(yīng)用。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度和可靠性。
3. **消費(fèi)類電子產(chǎn)品**:
在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中，如筆記本電腦和移動(dòng)設(shè)備的電源管理模塊，IPD50N06S3-07-VB 可以有效地進(jìn)行功率開(kāi)關(guān)和轉(zhuǎn)換，確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行，并延長(zhǎng)電池壽命。
4. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
由于其高電流處理能力和快速開(kāi)關(guān)特性，該 MOSFET 也非常適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。其出色的導(dǎo)通性能和低功耗使其在各種工業(yè)設(shè)備中表現(xiàn)優(yōu)異。
IPD50N06S3-07-VB 是一款多功能、高效能的 MOSFET，適用于需要高電流、高效率和低導(dǎo)通損耗的廣泛應(yīng)用領(lǐng)域。
