### IPD50N06S3-07-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IPD50N06S3-07-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝設計，適用于各種功率管理和開關應用。它具有 60V 的漏源電壓（VDS）和 ±20V 的柵源電壓（VGS），能夠提供強大的開關能力。該 MOSFET 采用先進的 Trench 技術，具有出色的低導通電阻，VGS = 4.5V 時為 13mΩ，VGS = 10V 時為 10mΩ，這使得它在高電流應用中表現(xiàn)優(yōu)異，能夠承載高達 58A 的電流。其柵極閾值電壓為 2.5V，適用于低電壓驅動的應用場景。IPD50N06S3-07-VB 設計用于高效功率轉換和管理，能夠提供低損耗和快速開關特性。

### IPD50N06S3-07-VB 詳細參數(shù)說明

1. **封裝類型**: TO252  
2. **極性**: N 溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**: 60V  
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
5. **柵極閾值電壓 (Vth)**: 2.5V  
6. **導通電阻 (RDS(ON))**: 
  - 13mΩ @ VGS = 4.5V  
  - 10mΩ @ VGS = 10V  
7. **漏極電流 (ID)**: 58A  
8. **技術類型**: Trench  
9. **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C  
10. **功率耗散 (Ptot)**: 通常為 60W  
11. **最大脈沖電流 (ID, pulse)**: 高達 200A  
12. **輸入電容 (Ciss)**: 約 1500pF  
13. **反向恢復時間 (Trr)**: 典型值約 45ns  
14. **柵極電荷 (Qg)**: 典型值為 20nC

### 應用領域和模塊示例

1. **電力供應系統(tǒng)**:  
  IPD50N06S3-07-VB 在電力供應系統(tǒng)中，如開關電源（SMPS）和不間斷電源（UPS），能夠提供高效的功率轉換和管理。其低導通電阻和高電流承載能力可以顯著降低功率損耗，提升系統(tǒng)效率。

2. **汽車電子**:  
  在汽車電子系統(tǒng)中，該 MOSFET 適用于電動座椅控制、電動窗戶驅動及車燈控制等應用。其高電流處理能力和低導通電阻有助于提高系統(tǒng)的響應速度和可靠性。

3. **消費類電子產(chǎn)品**:  
  在消費類電子產(chǎn)品中，如筆記本電腦和移動設備的電源管理模塊，IPD50N06S3-07-VB 可以有效地進行功率開關和轉換，確保設備穩(wěn)定運行，并延長電池壽命。

4. **工業(yè)電機驅動**:  
  由于其高電流處理能力和快速開關特性，該 MOSFET 也非常適用于工業(yè)電機驅動和其他需要高效功率轉換的應用。其出色的導通性能和低功耗使其在各種工業(yè)設備中表現(xiàn)優(yōu)異。

IPD50N06S3-07-VB 是一款多功能、高效能的 MOSFET，適用于需要高電流、高效率和低導通損耗的廣泛應用領域。