### 產(chǎn)品簡介
IPD50N06S3-15-VB 是一款高性能的單N溝道 MOSFET，采用TO252封裝。它具有60V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS），適合用于高電壓和高電流的應(yīng)用。其閾值電壓（Vth）為2.5V，導通電阻（RDS(ON)）分別為13mΩ（VGS=4.5V）和10mΩ（VGS=10V），最大漏極電流（ID）達到58A。IPD50N06S3-15-VB 使用了先進的Trench技術(shù)，具有優(yōu)良的開關(guān)特性和低功耗特性，適用于各種功率管理和開關(guān)應(yīng)用。
### 參數(shù)說明
1. **封裝類型**：TO252
2. **配置**：單N溝道
3. **漏源電壓 (VDS)**：60V
4. **柵源電壓 (VGS)**：±20V
5. **閾值電壓 (Vth)**：2.5V
6. **導通電阻 (RDS(ON))**：
- 13mΩ @ VGS=4.5V
- 10mΩ @ VGS=10V
7. **漏極電流 (ID)**：58A
8. **技術(shù)**：Trench技術(shù)
9. **柵極電荷 (Qg)**：低柵極電荷，有利于減少開關(guān)損耗
10. **工作溫度范圍**：-55°C 至 175°C
11. **功耗 (Ptot)**：適合高功率應(yīng)用，具有良好的散熱性能
### 適用領(lǐng)域和模塊
1. **汽車電子**：IPD50N06S3-15-VB 在電動汽車的電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色，如電池管理系統(tǒng)和電動機驅(qū)動器。其高電流處理能力和低導通電阻使其在車輛的功率開關(guān)和高效能電源轉(zhuǎn)換中能夠減少能量損耗，提高車輛的整體能效。
2. **開關(guān)電源**：在開關(guān)電源（SMPS）和降壓轉(zhuǎn)換器中，該MOSFET 能夠有效地處理高功率負載，并減少開關(guān)損耗。其低RDS(ON)使其在電源管理模塊中有助于提高效率和穩(wěn)定性，特別適用于高效電源供應(yīng)應(yīng)用。
3. **工業(yè)自動化**：在工業(yè)控制和自動化設(shè)備中，如電機驅(qū)動器和繼電器中，IPD50N06S3-15-VB 適合用于高電流開關(guān)和負載驅(qū)動。它的高耐壓和高電流能力保證了在苛刻環(huán)境中的可靠運行，提高了設(shè)備的耐用性和穩(wěn)定性。
4. **消費電子**：在高功率消費電子設(shè)備中，如高效能計算機電源和家電產(chǎn)品，該MOSFET 可用于功率開關(guān)和電壓調(diào)節(jié)。其高導電性能和低導通電阻使其在減少功耗和提升系統(tǒng)性能方面表現(xiàn)優(yōu)越。
