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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPD50N06S3L-06-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPD50N06S3L-06-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
  • ID 58A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPD50N06S3L-06-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
IPD50N06S3L-06-VB 是一款封裝為TO252的單N溝道功率MOSFET,專為60V的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件在±20V的柵源電壓下工作,開(kāi)啟閾值電壓為2.5V。它采用了先進(jìn)的Trench技術(shù),以優(yōu)化電流處理能力和導(dǎo)通電阻,最大漏極電流為58A。導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在4.5V柵源電壓下為13mΩ,在10V柵源電壓下為10mΩ。IPD50N06S3L-06-VB 具備良好的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通損耗,適用于各種高效電源和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

### 二、IPD50N06S3L-06-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓(VDS)**:60V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開(kāi)啟閾值電壓(Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 13mΩ @ VGS=4.5V
 - 10mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:58A
- **技術(shù)類型**:Trench技術(shù)
- **最大功耗**:依據(jù)具體應(yīng)用和散熱設(shè)計(jì)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **典型應(yīng)用**:DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、同步整流等。

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
  IPD50N06S3L-06-VB 適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中,特別是在需要處理較高電壓(最高60V)和較大電流(58A)的應(yīng)用中。它的低RDS(ON)特性幫助減少功率損耗,提高整體系統(tǒng)效率,特別適合用于電源管理模塊,如計(jì)算機(jī)服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和高效電源適配器中。

2. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:
  該MOSFET的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。它適用于各種工業(yè)控制系統(tǒng)和消費(fèi)電子產(chǎn)品中,能夠高效控制電流流入負(fù)載,確保穩(wěn)定的工作性能和更長(zhǎng)的設(shè)備壽命。

3. **同步整流**:
  IPD50N06S3L-06-VB 在AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為同步整流MOSFET使用,其低導(dǎo)通電阻特性顯著提升了整流效率,降低了功耗。尤其是在高效電源和電動(dòng)工具的整流模塊中,可以有效提高電源轉(zhuǎn)換效率,減少熱量產(chǎn)生。

4. **電動(dòng)車和電動(dòng)工具**:
  對(duì)于電動(dòng)車和電動(dòng)工具等需要高功率密度和高可靠性的應(yīng)用,該MOSFET提供了良好的電流處理能力和開(kāi)關(guān)性能。它能有效地控制高電流負(fù)載,保證電動(dòng)設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行并優(yōu)化功率傳輸。

IPD50N06S3L-06-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,使其成為各種需要高效電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想選擇。

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