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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPD50N06S3L-08-VB一款TO252封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPD50N06S3L-08-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
  • ID 58A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPD50N06S3L-08-VB 產(chǎn)品簡介

IPD50N06S3L-08-VB 是一款高性能的 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO252 封裝。這款 MOSFET 設計用于高效能應用,能夠在 60V 的漏源電壓 (VDS) 和 58A 的漏極電流 (ID) 下穩(wěn)定運行。它利用先進的溝槽式 (Trench) 技術,具有低導通電阻,從而減少功耗并提高系統(tǒng)效率。該 MOSFET 的導通電阻 (RDS(ON)) 分別為 13mΩ (VGS=4.5V) 和 10mΩ (VGS=10V),適合需要高電流和低功率損耗的應用場景。其門極閾值電壓 (Vth) 為 2.5V,確保在較低的門極驅動電壓下也能實現(xiàn)高效開關。

### 二、IPD50N06S3L-08-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:單通道 N 溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**:60V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:2.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:13mΩ @ VGS=4.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:10mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:58A  
- **技術**:溝槽式 (Trench) 技術  
- **熱阻 (Rth)**:依據(jù)具體散熱條件而定,通常設計用于高功率應用中的有效散熱需求

### 三、應用領域與模塊示例

1. **電源管理和開關電源**  
  IPD50N06S3L-08-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于開關電源 (SMPS) 和其他電源管理應用。它能有效減少功率損耗,提高轉換效率,適用于工業(yè)電源模塊和高性能消費電子設備。

2. **電機驅動與控制**  
  在電機驅動系統(tǒng)中,該 MOSFET 提供了高電流能力和低導通電阻,有助于實現(xiàn)高效能的電機控制。它可以用于電動機的速度控制和方向調(diào)節(jié),增強電機驅動系統(tǒng)的性能和可靠性。

3. **汽車電子應用**  
  IPD50N06S3L-08-VB 在汽車電子中能夠提供穩(wěn)定的功率開關,適用于電動汽車的電池管理系統(tǒng)和電動控制模塊。它的高電流承載能力和低功耗特性使其適合用于汽車的高負載電路。

4. **智能家居和自動化系統(tǒng)**  
  在智能家居和自動化系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可用于各種開關控制模塊,如燈光控制、電動窗簾等。其高效開關性能和可靠的電流處理能力確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和快速響應,適用于要求高的家居自動化場景。

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