### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 - IPD50R1K4CE-VB

IPD50R1K4CE-VB 是一款高耐壓的單N溝道功率MOSFET，采用TO252封裝，設(shè)計(jì)用于高電壓和高可靠性的應(yīng)用。該MOSFET具有650V的漏極-源極耐壓能力和高達(dá)5A的漏極電流承載能力。其基于SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）技術(shù)制造，具有穩(wěn)定的性能和較高的開(kāi)關(guān)效率。適用于需要高耐壓和可靠性的電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**：TO252  
- **溝道類(lèi)型**：?jiǎn)蜰溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**：650V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**：±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：1000mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**：5A  
- **技術(shù)類(lèi)型**：SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）  
- **熱阻**：適合高功率密度應(yīng)用，具有低熱阻特性

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高電壓電源轉(zhuǎn)換器**  
  IPD50R1K4CE-VB 的高耐壓特性使其非常適合用于高電壓電源轉(zhuǎn)換器中，如工業(yè)電源、UPS系統(tǒng)和電力逆變器。其能夠穩(wěn)定處理高電壓條件下的電源轉(zhuǎn)換，有助于提高系統(tǒng)的可靠性和安全性。

2. **電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)**  
  在電動(dòng)汽車(chē)的充電系統(tǒng)中，IPD50R1K4CE-VB 可用于高電壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用，確保電池充電過(guò)程中的高效能和安全性。其高漏極-源極電壓能力使其能夠處理充電過(guò)程中產(chǎn)生的高電壓。

3. **光伏逆變器**  
  該MOSFET 適用于光伏逆變器中的高電壓開(kāi)關(guān)模塊，能夠處理光伏系統(tǒng)中的高電壓直流輸入，確保電力轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

4. **工業(yè)控制系統(tǒng)**  
  在工業(yè)控制系統(tǒng)中，IPD50R1K4CE-VB 可用于高電壓開(kāi)關(guān)和控制應(yīng)用，確保可靠的系統(tǒng)運(yùn)行。其高耐壓特性使其能夠應(yīng)對(duì)工業(yè)環(huán)境中的高電壓負(fù)載。

5. **高壓開(kāi)關(guān)電路**  
  由于其高耐壓和高電流承載能力，IPD50R1K4CE-VB 適用于各種高壓開(kāi)關(guān)電路，如電力開(kāi)關(guān)、保護(hù)電路和電力電子設(shè)備中的開(kāi)關(guān)模塊，能夠提供穩(wěn)定和可靠的開(kāi)關(guān)操作。