### IPD50R399CP-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
IPD50R399CP-VB 是一款高壓 N 溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝，專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 支持高達(dá) 650V 的漏源極電壓（VDS）和 ±30V 的柵源極電壓（VGS），使用 SJ_Multi-EPI 技術(shù)，適用于需要高耐壓和穩(wěn)定性的重要場合。其較高的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）使其在高電壓場景下依然能夠提供可靠的開關(guān)性能。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **極性配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 370mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 11A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **高壓電源管理**：IPD50R399CP-VB 在高壓電源轉(zhuǎn)換器中廣泛應(yīng)用，特別是在工業(yè)設(shè)備和電力電子設(shè)備中。其 650V 的高耐壓特性使其能夠承受高電壓應(yīng)用中的壓力，確保電源轉(zhuǎn)換的穩(wěn)定性和安全性。
2. **逆變器和功率模塊**：在太陽能逆變器和其他功率模塊中，該 MOSFET 能夠處理高電壓輸入，同時(shí)保持相對(duì)較低的導(dǎo)通電阻，以確保高效的能量轉(zhuǎn)換。其設(shè)計(jì)適用于需要高耐壓和穩(wěn)定性的高功率電路。
3. **電力開關(guān)設(shè)備**：用于電力開關(guān)設(shè)備，如斷路器和電源開關(guān)中，該 MOSFET 能夠處理高電壓開關(guān)操作，其高耐壓特性保證了在高電壓情況下的可靠性。
4. **工業(yè)控制系統(tǒng)**：在工業(yè)控制系統(tǒng)中，該 MOSFET 可用于控制高電壓負(fù)載，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)和加熱器控制。其高電壓承受能力和穩(wěn)定性使其適用于工業(yè)環(huán)境中的關(guān)鍵應(yīng)用。
IPD50R399CP-VB 的高耐壓能力與適中的導(dǎo)通電阻使其在高電壓應(yīng)用場景中表現(xiàn)優(yōu)異，能夠在需要高電壓開關(guān)和可靠性的各種工業(yè)和電力應(yīng)用中提供穩(wěn)定性能。
