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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPD60R380P6-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPD60R380P6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 370mΩ@VGS=10V
  • ID 11A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介 - IPD60R380P6-VB

IPD60R380P6-VB 是一款高耐壓、高效能的單N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝。該MOSFET具有650V的漏極-源極耐壓能力和11A的漏極電流能力,專為高電壓、高功率應(yīng)用設(shè)計。它采用SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))制造,具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為370mΩ @ VGS=10V),使其在高電壓環(huán)境中能夠有效地控制開關(guān)損耗并提供穩(wěn)定的性能。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252  
- **溝道類型**:單N溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:650V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:370mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:11A  
- **技術(shù)類型**:SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))  
- **熱阻**:適合高功率密度應(yīng)用,具有良好的散熱性能

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**  
  IPD60R380P6-VB 的高耐壓能力使其非常適合用于高壓電源轉(zhuǎn)換器中,如工業(yè)電源和高壓電源模塊。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力確保了電源轉(zhuǎn)換的高效性和穩(wěn)定性。

2. **光伏逆變器**  
  在光伏系統(tǒng)中,IPD60R380P6-VB 可以用于處理高電壓直流輸入,并有效進行電力轉(zhuǎn)換。其高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性使其在光伏逆變器的高電壓開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

3. **電動汽車充電系統(tǒng)**  
  該MOSFET 的高電壓和高電流能力使其適用于電動汽車的充電系統(tǒng),能夠在充電過程中處理高電壓,保證充電效率和系統(tǒng)安全。

4. **工業(yè)電機驅(qū)動**  
  在工業(yè)電機驅(qū)動模塊中,IPD60R380P6-VB 提供可靠的高電壓開關(guān)功能,適用于要求高耐壓和高電流的電機控制應(yīng)用,如電動工具和自動化設(shè)備。

5. **電力開關(guān)與保護電路**  
  IPD60R380P6-VB 可以用于高電壓的電力開關(guān)和保護電路中,提供高效能的開關(guān)控制,保護電路免受過壓和短路損壞,適合用于電力電子設(shè)備和高壓保護模塊。

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