chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

IPD60R950C6-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPD60R950C6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 - IPD60R950C6-VB

IPD60R950C6-VB 是一款高耐壓?jiǎn)蜰溝道功率MOSFET,采用TO252封裝。該MOSFET 設(shè)計(jì)用于高電壓環(huán)境,具有650V的漏極-源極耐壓能力和5A的漏極電流能力。它采用SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))制造,具有較高的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為1000mΩ @ VGS=10V),為要求高電壓和可靠性的應(yīng)用提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能。適用于各種高電壓電源和開(kāi)關(guān)控制系統(tǒng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**:TO252  
- **溝道類型**:?jiǎn)蜰溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:650V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1000mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:5A  
- **技術(shù)類型**:SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))  
- **熱阻**:適合高功率密度應(yīng)用,具有良好的散熱性能

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**  
  IPD60R950C6-VB 的高耐壓特性使其非常適合用于高壓電源轉(zhuǎn)換器中,如工業(yè)電源和高壓電源模塊。盡管其導(dǎo)通電阻較高,但其高耐壓能力確保了在高電壓條件下的可靠性。

2. **光伏逆變器**  
  在光伏逆變器應(yīng)用中,該MOSFET能夠有效處理高電壓直流輸入,幫助光伏系統(tǒng)進(jìn)行電力轉(zhuǎn)換。適用于需要高耐壓和高可靠性的光伏系統(tǒng)。

3. **電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)**  
  IPD60R950C6-VB 的高電壓能力和穩(wěn)定的性能使其適合用于電動(dòng)汽車的充電系統(tǒng)中。它能夠承受充電過(guò)程中產(chǎn)生的高電壓,并保證充電過(guò)程的安全性和高效性。

4. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)**  
  在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,IPD60R950C6-VB 提供了穩(wěn)定的高電壓開(kāi)關(guān)功能,適合用于高電壓電機(jī)控制系統(tǒng),保證了電機(jī)驅(qū)動(dòng)的可靠性和高效性。

5. **高壓開(kāi)關(guān)與保護(hù)電路**  
  該MOSFET 也可以用于高電壓開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路中,為電力電子設(shè)備提供保護(hù)。它能夠承受較高的電壓,并有效保護(hù)電路免受過(guò)壓和短路的影響。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    352瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    319瀏覽量