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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPD60R950C6-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPD60R950C6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介 - IPD60R950C6-VB

IPD60R950C6-VB 是一款高耐壓單N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝。該MOSFET 設(shè)計用于高電壓環(huán)境,具有650V的漏極-源極耐壓能力和5A的漏極電流能力。它采用SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))制造,具有較高的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為1000mΩ @ VGS=10V),為要求高電壓和可靠性的應(yīng)用提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。適用于各種高電壓電源和開關(guān)控制系統(tǒng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252  
- **溝道類型**:單N溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:650V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1000mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:5A  
- **技術(shù)類型**:SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))  
- **熱阻**:適合高功率密度應(yīng)用,具有良好的散熱性能

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**  
  IPD60R950C6-VB 的高耐壓特性使其非常適合用于高壓電源轉(zhuǎn)換器中,如工業(yè)電源和高壓電源模塊。盡管其導(dǎo)通電阻較高,但其高耐壓能力確保了在高電壓條件下的可靠性。

2. **光伏逆變器**  
  在光伏逆變器應(yīng)用中,該MOSFET能夠有效處理高電壓直流輸入,幫助光伏系統(tǒng)進(jìn)行電力轉(zhuǎn)換。適用于需要高耐壓和高可靠性的光伏系統(tǒng)。

3. **電動汽車充電系統(tǒng)**  
  IPD60R950C6-VB 的高電壓能力和穩(wěn)定的性能使其適合用于電動汽車的充電系統(tǒng)中。它能夠承受充電過程中產(chǎn)生的高電壓,并保證充電過程的安全性和高效性。

4. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動**  
  在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,IPD60R950C6-VB 提供了穩(wěn)定的高電壓開關(guān)功能,適合用于高電壓電機(jī)控制系統(tǒng),保證了電機(jī)驅(qū)動的可靠性和高效性。

5. **高壓開關(guān)與保護(hù)電路**  
  該MOSFET 也可以用于高電壓開關(guān)和保護(hù)電路中,為電力電子設(shè)備提供保護(hù)。它能夠承受較高的電壓,并有效保護(hù)電路免受過壓和短路的影響。

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