### 產(chǎn)品簡介

IPD65R420CFD-VB 是一款高電壓、高電流能力的單N溝道 MOSFET，封裝為 TO252。它具有700V的漏源電壓（VDS），±30V的柵源電壓（VGS），以及3.5V的閾值電壓（Vth）。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為390mΩ @ VGS=10V，最大漏極電流（ID）為11A。IPD65R420CFD-VB 采用了 SJ_Multi-EPI 技術(shù)，專為高電壓和高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)，提供優(yōu)良的電壓耐受性和穩(wěn)定性，適用于高電壓開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換場合。

### 參數(shù)說明

1. **封裝類型**：TO252  
2. **配置**：單N溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**：700V  
4. **柵源電壓 (VGS)**：±30V  
5. **閾值電壓 (Vth)**：3.5V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：  
  - 390mΩ @ VGS=10V  
7. **漏極電流 (ID)**：11A  
8. **技術(shù)**：SJ_Multi-EPI  
9. **柵極電荷 (Qg)**：適中，適合高電壓開關(guān)應(yīng)用  
10. **工作溫度范圍**：-55°C 至 175°C  
11. **功耗 (Ptot)**：適合高功率應(yīng)用，具有良好的散熱性能

### 適用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理系統(tǒng)**：IPD65R420CFD-VB 在高電壓開關(guān)電源和功率逆變器中表現(xiàn)優(yōu)異。例如，在高壓直流到交流（DC-AC）逆變器中，該 MOSFET 能夠處理高電壓和大電流，確保系統(tǒng)的高效能和穩(wěn)定性。其適用于太陽能逆變器、電力電子變頻器等要求高電壓和高功率的應(yīng)用。

2. **工業(yè)電源**：在工業(yè)電源供應(yīng)和功率轉(zhuǎn)換模塊中，如高壓變頻器和電源適配器，IPD65R420CFD-VB 能夠處理高電壓負(fù)載，確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。其高電壓耐受性和低導(dǎo)通電阻使其在這些領(lǐng)域中表現(xiàn)出色，適用于電力控制和轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

3. **家電產(chǎn)品**：該 MOSFET 在高電壓家電產(chǎn)品中，如電動工具和高壓電加熱器中，能夠提供可靠的開關(guān)功能。它的高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻確保了在高電壓負(fù)載中的高效能和耐用性，提高了設(shè)備的性能和使用壽命。

4. **汽車電子**：在電動汽車的高壓電源管理系統(tǒng)中，IPD65R420CFD-VB 能夠作為高電壓開關(guān)使用，提供可靠的電壓控制和高電流處理能力。這有助于提升電動汽車充電器和電池管理系統(tǒng)的效率，增強(qiáng)車輛的整體性能和安全性。