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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPD65R420CFD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPD65R420CFD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 700V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 390mΩ@VGS=10V
  • ID 11A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

IPD65R420CFD-VB 是一款高電壓、高電流能力的單N溝道 MOSFET,封裝為 TO252。它具有700V的漏源電壓(VDS),±30V的柵源電壓(VGS),以及3.5V的閾值電壓(Vth)。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為390mΩ @ VGS=10V,最大漏極電流(ID)為11A。IPD65R420CFD-VB 采用了 SJ_Multi-EPI 技術(shù),專為高電壓和高功率應(yīng)用設(shè)計,提供優(yōu)良的電壓耐受性和穩(wěn)定性,適用于高電壓開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換場合。

### 參數(shù)說明

1. **封裝類型**:TO252  
2. **配置**:單N溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**:700V  
4. **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
5. **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
  - 390mΩ @ VGS=10V  
7. **漏極電流 (ID)**:11A  
8. **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI  
9. **柵極電荷 (Qg)**:適中,適合高電壓開關(guān)應(yīng)用  
10. **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C  
11. **功耗 (Ptot)**:適合高功率應(yīng)用,具有良好的散熱性能

### 適用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理系統(tǒng)**:IPD65R420CFD-VB 在高電壓開關(guān)電源和功率逆變器中表現(xiàn)優(yōu)異。例如,在高壓直流到交流(DC-AC)逆變器中,該 MOSFET 能夠處理高電壓和大電流,確保系統(tǒng)的高效能和穩(wěn)定性。其適用于太陽能逆變器、電力電子變頻器等要求高電壓和高功率的應(yīng)用。

2. **工業(yè)電源**:在工業(yè)電源供應(yīng)和功率轉(zhuǎn)換模塊中,如高壓變頻器和電源適配器,IPD65R420CFD-VB 能夠處理高電壓負載,確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。其高電壓耐受性和低導(dǎo)通電阻使其在這些領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,適用于電力控制和轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

3. **家電產(chǎn)品**:該 MOSFET 在高電壓家電產(chǎn)品中,如電動工具和高壓電加熱器中,能夠提供可靠的開關(guān)功能。它的高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻確保了在高電壓負載中的高效能和耐用性,提高了設(shè)備的性能和使用壽命。

4. **汽車電子**:在電動汽車的高壓電源管理系統(tǒng)中,IPD65R420CFD-VB 能夠作為高電壓開關(guān)使用,提供可靠的電壓控制和高電流處理能力。這有助于提升電動汽車充電器和電池管理系統(tǒng)的效率,增強車輛的整體性能和安全性。

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