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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPD65R950C6-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPD65R950C6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 700V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 750mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 - IPD65R950C6-VB

IPD65R950C6-VB 是一款高耐壓的單N溝道功率MOSFET,采用TO220封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET 具有700V的漏極-源極耐壓能力和7A的漏極電流能力,適合在嚴(yán)苛的高電壓環(huán)境中使用。其基于SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))制造,具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為750mΩ @ VGS=10V),能夠在高電壓條件下提供穩(wěn)定的開關(guān)性能和可靠的功率控制。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220  
- **溝道類型**:?jiǎn)蜰溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:700V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:750mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:7A  
- **技術(shù)類型**:SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))  
- **熱阻**:適合高功率密度應(yīng)用,具備良好的散熱性能

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**  
  IPD65R950C6-VB 的高耐壓能力使其在高壓電源轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠處理高達(dá)700V的電壓,非常適合用于工業(yè)電源、UPS系統(tǒng)以及高壓電源模塊。

2. **光伏逆變器**  
  在光伏系統(tǒng)中,該MOSFET 能夠有效處理高電壓直流輸入,適用于光伏逆變器的開關(guān)和控制功能。其高耐壓和較低的導(dǎo)通電阻有助于提高光伏系統(tǒng)的效率和可靠性。

3. **電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)**  
  IPD65R950C6-VB 適用于電動(dòng)汽車的充電系統(tǒng),能夠處理充電過程中產(chǎn)生的高電壓,確保充電過程的安全性和高效性,是電池管理系統(tǒng)中的重要組件。

4. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)**  
  在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該MOSFET 提供高電壓開關(guān)功能,適合用于電機(jī)控制系統(tǒng)中,能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,提高系統(tǒng)的可靠性和性能。

5. **高壓開關(guān)和保護(hù)電路**  
  IPD65R950C6-VB 可以用于高電壓開關(guān)和保護(hù)電路中,提供穩(wěn)定的開關(guān)控制,保護(hù)電路免受過壓和短路的影響,適用于電力電子設(shè)備和高壓保護(hù)模塊。

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