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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPD65R950CFD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPD65R950CFD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPD65R950CFD-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPD65R950CFD-VB 是一款高電壓 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO252,設(shè)計(jì)用于高壓和中等電流應(yīng)用。它具有 650V 的漏源擊穿電壓和 5A 的漏極電流能力。采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù),這款 MOSFET 提供了優(yōu)秀的耐壓和穩(wěn)定性,適合用于需要高電壓控制的應(yīng)用環(huán)境。其較高的導(dǎo)通電阻使其更適合于對(duì)開關(guān)損耗要求不高的應(yīng)用中。

### 二、IPD65R950CFD-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO252  
- **溝道配置**:?jiǎn)螛O N 溝道  
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**:650V  
- **柵極驅(qū)動(dòng)電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1000mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:5A  
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI(多層 EPI 技術(shù))

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **高壓電源開關(guān)**:
  IPD65R950CFD-VB 的 650V 漏源擊穿電壓使其非常適合用于高壓電源開關(guān)應(yīng)用。它可以在高電壓環(huán)境中穩(wěn)定開關(guān)電路,適合用于高壓直流電源的開關(guān)控制和保護(hù)電路中,提供安全、可靠的高壓控制解決方案。

2. **電源轉(zhuǎn)換器**:
  在需要高電壓直流到交流或交流到直流轉(zhuǎn)換的電源轉(zhuǎn)換器中,IPD65R950CFD-VB 可以作為開關(guān)元件使用。其高電壓耐受能力和穩(wěn)定的性能使其適合用于逆變器或高壓變換器中,確保電源轉(zhuǎn)換的高效性和穩(wěn)定性。

3. **高電壓負(fù)載控制**:
  由于其較高的耐壓和穩(wěn)定性,IPD65R950CFD-VB 可以用于高電壓負(fù)載控制應(yīng)用。例如,在高電壓負(fù)載的切換或調(diào)節(jié)中,它能夠提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,適用于各種工業(yè)和電力系統(tǒng)中。

4. **電力電子設(shè)備**:
  IPD65R950CFD-VB 也適用于電力電子設(shè)備中的高電壓應(yīng)用,如電力調(diào)節(jié)器和電力保護(hù)裝置。其高耐壓能力和可靠性能夠在電力管理系統(tǒng)中提供有效的電壓控制和保護(hù),增強(qiáng)系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性和安全性。

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