### 一、IPD80N06S3-09-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPD80N06S3-09-VB 是一款 N 溝道功率 MOSFET，采用 TO252 封裝，具備 60V 的漏源電壓 (VDS) 和 58A 的漏極電流 (ID) 處理能力。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù)，提供低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，適合在高效能應(yīng)用中使用。其柵極閾值電壓 (Vth) 為 2.5V，能夠在相對(duì)較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下實(shí)現(xiàn)可靠的導(dǎo)通和關(guān)斷操作。其導(dǎo)通電阻在 VGS=4.5V 時(shí)為 13mΩ，在 VGS=10V 時(shí)則為 10mΩ。
### 二、IPD80N06S3-09-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**：TO252
- **配置**：?jiǎn)瓮ǖ?N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：60V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**：2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
- 13mΩ @ VGS=4.5V
- 10mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：58A
- **技術(shù)**：Trench 技術(shù)
- **最大功耗**：依據(jù)具體散熱條件而定，通常用于高電流應(yīng)用中有效散熱設(shè)計(jì)
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **汽車電子控制單元 (ECU)**
IPD80N06S3-09-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于汽車電子系統(tǒng)中的電源開(kāi)關(guān)、繼電器驅(qū)動(dòng)器和其他 ECU 組件中，能夠有效提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**
在中等電壓范圍內(nèi)的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中，該 MOSFET 可用作功率開(kāi)關(guān)，確保轉(zhuǎn)換器具有較低的損耗并提高效率。其 60V 的漏源電壓非常適合這些中等電壓應(yīng)用。
3. **電機(jī)控制**
在需要控制中低電壓電機(jī)的應(yīng)用中，IPD80N06S3-09-VB 能夠作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率開(kāi)關(guān)，提供高效的電流控制和快速的開(kāi)關(guān)性能，適用于電動(dòng)車、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。
4. **負(fù)載開(kāi)關(guān)與電源管理**
這款 MOSFET 還可以用于負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源管理模塊中，尤其是在對(duì)低導(dǎo)通損耗和高電流需求的系統(tǒng)中，如消費(fèi)電子和通信設(shè)備的電源模塊。### 一、IPD80N06S3-09-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPD80N06S3-09-VB 是一款 N 溝道功率 MOSFET，采用 TO252 封裝，具備 60V 的漏源電壓 (VDS) 和 58A 的漏極電流 (ID) 處理能力。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù)，提供低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，適合在高效能應(yīng)用中使用。其柵極閾值電壓 (Vth) 為 2.5V，能夠在相對(duì)較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下實(shí)現(xiàn)可靠的導(dǎo)通和關(guān)斷操作。其導(dǎo)通電阻在 VGS=4.5V 時(shí)為 13mΩ，在 VGS=10V 時(shí)則為 10mΩ。
### 二、IPD80N06S3-09-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**：TO252
- **配置**：?jiǎn)瓮ǖ?N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：60V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**：2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
- 13mΩ @ VGS=4.5V
- 10mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：58A
- **技術(shù)**：Trench 技術(shù)
- **最大功耗**：依據(jù)具體散熱條件而定，通常用于高電流應(yīng)用中有效散熱設(shè)計(jì)
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **汽車電子控制單元 (ECU)**
IPD80N06S3-09-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于汽車電子系統(tǒng)中的電源開(kāi)關(guān)、繼電器驅(qū)動(dòng)器和其他 ECU 組件中，能夠有效提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**
在中等電壓范圍內(nèi)的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中，該 MOSFET 可用作功率開(kāi)關(guān)，確保轉(zhuǎn)換器具有較低的損耗并提高效率。其 60V 的漏源電壓非常適合這些中等電壓應(yīng)用。
3. **電機(jī)控制**
在需要控制中低電壓電機(jī)的應(yīng)用中，IPD80N06S3-09-VB 能夠作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率開(kāi)關(guān)，提供高效的電流控制和快速的開(kāi)關(guān)性能，適用于電動(dòng)車、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。
4. **負(fù)載開(kāi)關(guān)與電源管理**
這款 MOSFET 還可以用于負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源管理模塊中，尤其是在對(duì)低導(dǎo)通損耗和高電流需求的系統(tǒng)中，如消費(fèi)電子和通信設(shè)備的電源模塊。
