### 產(chǎn)品簡介：
IPD80R1K0CE-VB是一款高電壓單N溝道MOSFET，采用TO252封裝，具有800V的漏源電壓（VDS），適用于高壓環(huán)境。它能夠承受±30V的柵源電壓（VGS），并具有3.5V的開啟閾值電壓（Vth），確保導(dǎo)通所需的較低柵極電壓。該MOSFET的導(dǎo)通電阻為1100mΩ（@VGS=10V），最大漏極電流（ID）為5A。IPD80R1K0CE-VB采用了SJ_Multi-EPI（超結(jié)多層外延）技術(shù)，增強了其高壓處理能力，在需要高耐壓和低漏電流的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
### 參數(shù)說明：
- **封裝類型**：TO252
- **溝道配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：800V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：5A
- **技術(shù)類型**：SJ_Multi-EPI（超結(jié)多層外延）
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊：
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換**：由于IPD80R1K0CE-VB具有800V的高漏源電壓，它非常適用于高壓電源轉(zhuǎn)換器，如AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器。在這些應(yīng)用中，它能夠在高電壓環(huán)境下進行有效的電源轉(zhuǎn)換，確保設(shè)備的穩(wěn)定性和安全性。
2. **照明控制系統(tǒng)**：在高壓LED照明系統(tǒng)中，該MOSFET能夠控制電流和電壓的穩(wěn)定輸出，確保照明設(shè)備在長時間使用下的穩(wěn)定性和高效能。
3. **電力開關(guān)與保護電路**：在電力傳輸系統(tǒng)中的開關(guān)模塊和過壓保護電路中，IPD80R1K0CE-VB能夠管理高電壓開關(guān)的工作，保護電路免受過壓損害，適用于大型工業(yè)電力管理系統(tǒng)。
4. **逆變器應(yīng)用**：適用于如太陽能和風(fēng)能系統(tǒng)中的逆變器。其高壓處理能力可支持將高壓直流轉(zhuǎn)換為交流電，確保系統(tǒng)的有效運行和能源的高效轉(zhuǎn)換。
5. **工業(yè)控制與驅(qū)動**：在工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中，這款MOSFET能夠在需要高壓開關(guān)的應(yīng)用中穩(wěn)定工作，例如電機驅(qū)動和負載管理，提供高效的控制和安全的操作。
