### 產(chǎn)品簡介 - IPD80R1K4CE-VB
IPD80R1K4CE-VB 是一款高電壓單N溝道功率MOSFET，采用TO252封裝，設(shè)計用于嚴(yán)苛的高壓環(huán)境下。該器件具有800V的漏極-源極耐壓能力和7A的漏極電流承受能力，采用SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）制造，提供可靠的開關(guān)性能。其導(dǎo)通電阻為770mΩ @ VGS=10V，適用于各種需要高電壓耐受性的電源轉(zhuǎn)換和開關(guān)電路。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**：TO252
- **溝道類型**：單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**：800V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：770mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：7A
- **技術(shù)類型**：SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）
- **熱性能**：優(yōu)異的散熱管理能力，適用于高功率密度應(yīng)用場景
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器**
IPD80R1K4CE-VB 的800V高耐壓性能使其非常適合用于工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器等高壓應(yīng)用場景，能夠有效處理電源系統(tǒng)中的高電壓開關(guān)和轉(zhuǎn)換任務(wù)，確保高效、穩(wěn)定的電源輸出。
2. **光伏發(fā)電逆變器**
該MOSFET 在光伏逆變器應(yīng)用中能夠應(yīng)對高直流輸入電壓，適用于大功率光伏系統(tǒng)。其高壓特性保證了在太陽能轉(zhuǎn)換過程中安全可靠的工作，減少損耗并提高系統(tǒng)效率。
3. **電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施**
在電動汽車充電站中，IPD80R1K4CE-VB 能夠承受高電壓輸入，特別適用于快充設(shè)備中的高壓充電模塊，保證充電安全性和可靠性，同時提升能源傳輸效率。
4. **高壓開關(guān)電路**
該器件廣泛用于需要高電壓開關(guān)的應(yīng)用，如工業(yè)自動化系統(tǒng)、工業(yè)照明控制和高壓電力傳輸?shù)阮I(lǐng)域，幫助實現(xiàn)高效的電力管理和控制。
5. **照明系統(tǒng)**
由于其高耐壓特性，IPD80R1K4CE-VB 還非常適用于LED照明系統(tǒng)中的驅(qū)動電路和調(diào)光控制系統(tǒng)，確保了長期穩(wěn)定的性能，特別是在高壓商業(yè)照明領(lǐng)域。
