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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPD85P04P4L-06-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPD85P04P4L-06-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-P-Channel
  • VDS -40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2V
  • RDS(ON) 6.8mΩ@VGS=10V
  • ID -90A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPD85P04P4L-06-VB 產(chǎn)品簡介  
IPD85P04P4L-06-VB 是一款高性能單P溝道MOSFET,采用TO252封裝,適用于要求低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力的電源管理應(yīng)用。該MOSFET具有-40V的最大漏源電壓,并可承載高達-90A的電流。其柵源電壓范圍為±20V,柵極閾值電壓為-2V。導(dǎo)通電阻低至6.8mΩ(在VGS=-10V時),采用了先進的Trench溝槽技術(shù),保證了其在高效率應(yīng)用中的優(yōu)異表現(xiàn)。該產(chǎn)品特別適用于需要快速開關(guān)和低功耗的場合。

### 二、IPD85P04P4L-06-VB 詳細參數(shù)說明  
- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:單P溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**:-40V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:-2V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 13mΩ@VGS=-4.5V
 - 6.8mΩ@VGS=-10V  
- **漏極電流 (ID)**:-90A  
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))  
- **其他特性**:低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度、低柵極電荷,適合高頻率和高功率應(yīng)用。

### 三、IPD85P04P4L-06-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例  
1. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**:IPD85P04P4L-06-VB 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,適合用于電池管理系統(tǒng)中,實現(xiàn)高效的電池切換和充放電控制。這有助于提高電池系統(tǒng)的效率,延長電池的壽命。

2. **電動汽車逆變器和電機控制**:在電動汽車的逆變器和電機驅(qū)動系統(tǒng)中,該P溝道MOSFET用于處理電動汽車的功率切換。其高電流處理能力確保了系統(tǒng)的可靠性和高效能,適合用于高電流的功率轉(zhuǎn)換。

3. **直流電源切換和保護電路**:該MOSFET可應(yīng)用于DC電源切換和保護電路中,憑借其出色的電流承載能力,能有效用于控制高電流的開關(guān)負載,并且在電源管理模塊中提供過流和過壓保護。

4. **工業(yè)控制和自動化設(shè)備**:IPD85P04P4L-06-VB 可在工業(yè)自動化設(shè)備中作為高效開關(guān)元件,特別是在需要高功率和快速響應(yīng)的設(shè)備中應(yīng)用,如工業(yè)電源和自動控制系統(tǒng)。其低功耗和高開關(guān)速度有助于設(shè)備的高效運行。

這款MOSFET適用于多個領(lǐng)域,特別是在需要高電流和高效率的電源管理和切換應(yīng)用中,表現(xiàn)出色。

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