--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 85A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### IPD90N04S3-H4-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
IPD90N04S3-H4-VB 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,適用于低電壓、高電流應(yīng)用。該器件具有 40V 的最大漏源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源極電壓 (VGS),并基于先進的 Trench 溝槽技術(shù)。其在 VGS=10V 時的導(dǎo)通電阻僅為 5mΩ,具備極低的功率損耗和出色的開關(guān)性能。該器件能夠支持高達 85A 的漏極電流,使其非常適合高功率需求的應(yīng)用場景。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **極性配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 85A
- **技術(shù)**: Trench 溝槽型 MOSFET 技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **直流-直流電源轉(zhuǎn)換**:IPD90N04S3-H4-VB 在低電壓大電流的直流-直流轉(zhuǎn)換器中應(yīng)用廣泛,特別是在需要高效功率管理的場合。其低導(dǎo)通電阻可大幅降低電源轉(zhuǎn)換中的功率損耗,從而提高整體轉(zhuǎn)換效率。
2. **電動工具和電動汽車的電機驅(qū)動**:由于其高電流能力和低導(dǎo)通電阻,該 MOSFET 非常適合用于電動工具和電動汽車的電機驅(qū)動電路中。它能夠有效地控制電機,提供高效的功率輸出,同時確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和耐用性。
3. **負載開關(guān)和功率管理模塊**:在負載開關(guān)和電源管理模塊中,該 MOSFET 的高電流承載能力和低導(dǎo)通損耗使其成為理想的選擇。尤其在需要高效、高可靠性的功率開關(guān)應(yīng)用中,該器件能夠提供出色的開關(guān)性能。
4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,IPD90N04S3-H4-VB 可用于控制電流流動,并確保電池的安全和高效使用。其高電流能力和低損耗特性能夠提升系統(tǒng)的效率,并在延長電池壽命方面發(fā)揮重要作用。
IPD90N04S3-H4-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在電源轉(zhuǎn)換、電動工具驅(qū)動、負載開關(guān)以及電池管理等領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,尤其適合需要高效率和高功率密度的應(yīng)用場景。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12