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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPD90N04S3-H4-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPD90N04S3-H4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPD90N04S3-H4-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPD90N04S3-H4-VB 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,適用于低電壓、高電流應(yīng)用。該器件具有 40V 的最大漏源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源極電壓 (VGS),并基于先進(jìn)的 Trench 溝槽技術(shù)。其在 VGS=10V 時(shí)的導(dǎo)通電阻僅為 5mΩ,具備極低的功率損耗和出色的開(kāi)關(guān)性能。該器件能夠支持高達(dá) 85A 的漏極電流,使其非常適合高功率需求的應(yīng)用場(chǎng)景。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**: TO252
- **極性配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **開(kāi)啟電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=4.5V
 - 5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 85A
- **技術(shù)**: Trench 溝槽型 MOSFET 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **直流-直流電源轉(zhuǎn)換**:IPD90N04S3-H4-VB 在低電壓大電流的直流-直流轉(zhuǎn)換器中應(yīng)用廣泛,特別是在需要高效功率管理的場(chǎng)合。其低導(dǎo)通電阻可大幅降低電源轉(zhuǎn)換中的功率損耗,從而提高整體轉(zhuǎn)換效率。

2. **電動(dòng)工具和電動(dòng)汽車(chē)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:由于其高電流能力和低導(dǎo)通電阻,該 MOSFET 非常適合用于電動(dòng)工具和電動(dòng)汽車(chē)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中。它能夠有效地控制電機(jī),提供高效的功率輸出,同時(shí)確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和耐用性。

3. **負(fù)載開(kāi)關(guān)和功率管理模塊**:在負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源管理模塊中,該 MOSFET 的高電流承載能力和低導(dǎo)通損耗使其成為理想的選擇。尤其在需要高效、高可靠性的功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,該器件能夠提供出色的開(kāi)關(guān)性能。

4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,IPD90N04S3-H4-VB 可用于控制電流流動(dòng),并確保電池的安全和高效使用。其高電流能力和低損耗特性能夠提升系統(tǒng)的效率,并在延長(zhǎng)電池壽命方面發(fā)揮重要作用。

IPD90N04S3-H4-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在電源轉(zhuǎn)換、電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及電池管理等領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,尤其適合需要高效率和高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景。

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