chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 77 粉絲

IPD90N04S3-H4-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPD90N04S3-H4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPD90N04S3-H4-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IPD90N04S3-H4-VB 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,適用于低電壓、高電流應(yīng)用。該器件具有 40V 的最大漏源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源極電壓 (VGS),并基于先進的 Trench 溝槽技術(shù)。其在 VGS=10V 時的導(dǎo)通電阻僅為 5mΩ,具備極低的功率損耗和出色的開關(guān)性能。該器件能夠支持高達 85A 的漏極電流,使其非常適合高功率需求的應(yīng)用場景。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **極性配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=4.5V
 - 5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 85A
- **技術(shù)**: Trench 溝槽型 MOSFET 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **直流-直流電源轉(zhuǎn)換**:IPD90N04S3-H4-VB 在低電壓大電流的直流-直流轉(zhuǎn)換器中應(yīng)用廣泛,特別是在需要高效功率管理的場合。其低導(dǎo)通電阻可大幅降低電源轉(zhuǎn)換中的功率損耗,從而提高整體轉(zhuǎn)換效率。

2. **電動工具和電動汽車的電機驅(qū)動**:由于其高電流能力和低導(dǎo)通電阻,該 MOSFET 非常適合用于電動工具和電動汽車的電機驅(qū)動電路中。它能夠有效地控制電機,提供高效的功率輸出,同時確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和耐用性。

3. **負載開關(guān)和功率管理模塊**:在負載開關(guān)和電源管理模塊中,該 MOSFET 的高電流承載能力和低導(dǎo)通損耗使其成為理想的選擇。尤其在需要高效、高可靠性的功率開關(guān)應(yīng)用中,該器件能夠提供出色的開關(guān)性能。

4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,IPD90N04S3-H4-VB 可用于控制電流流動,并確保電池的安全和高效使用。其高電流能力和低損耗特性能夠提升系統(tǒng)的效率,并在延長電池壽命方面發(fā)揮重要作用。

IPD90N04S3-H4-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在電源轉(zhuǎn)換、電動工具驅(qū)動、負載開關(guān)以及電池管理等領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,尤其適合需要高效率和高功率密度的應(yīng)用場景。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    69瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    55瀏覽量