### IPD90N04S4-02-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPD90N04S4-02-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝，專(zhuān)為高效功率處理設(shè)計(jì)。它的漏源電壓（VDS）為 40V，柵源電壓（VGS）為 ±20V，柵極閾值電壓為 3V。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù)，能夠提供極低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），在 VGS = 10V 時(shí)的導(dǎo)通電阻僅為 1.6mΩ，最大漏極電流可達(dá) 120A。憑借其出色的開(kāi)關(guān)性能和高電流處理能力，IPD90N04S4-02-VB 特別適合用于要求高效率和低功耗的應(yīng)用領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車(chē)、直流-直流轉(zhuǎn)換器、服務(wù)器電源和工業(yè)控制模塊。

### IPD90N04S4-02-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

1. **封裝類(lèi)型**: TO252  
2. **極性**: N 溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**: 40V  
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
5. **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
  - 3mΩ @ VGS = 4.5V  
  - 1.6mΩ @ VGS = 10V  
7. **漏極電流 (ID)**: 120A  
8. **技術(shù)類(lèi)型**: Trench  
9. **功率耗散 (Ptot)**: 典型值 150W  
10. **最大脈沖電流 (ID, pulse)**: 高達(dá) 450A  
11. **輸入電容 (Ciss)**: 約 5000pF  
12. **柵極電荷 (Qg)**: 典型值為 120nC  
13. **反向恢復(fù)時(shí)間 (Trr)**: 典型值為 50ns  
14. **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C  

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電動(dòng)汽車(chē) (EV) 電源管理**:  
  IPD90N04S4-02-VB 適用于電動(dòng)汽車(chē)的電池管理系統(tǒng)（BMS）和直流-直流轉(zhuǎn)換器。它的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻能夠顯著減少功耗并提高能效，適合用于控制大電流電動(dòng)機(jī)和電池組的功率管理。

2. **服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源**:  
  在高效電源管理模塊中，特別是服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源，IPD90N04S4-02-VB 能夠在高功率密度應(yīng)用中提供高效、低損耗的開(kāi)關(guān)性能，幫助優(yōu)化能耗管理，降低系統(tǒng)熱量產(chǎn)生和提高可靠性。

3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:  
  在工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中，這款 MOSFET 可以用于大功率電機(jī)控制、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及直流-直流電源轉(zhuǎn)換模塊。其高電流承載能力和快速開(kāi)關(guān)性能確保了在嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境下的高效運(yùn)行。

4. **電源轉(zhuǎn)換器 (DC-DC 轉(zhuǎn)換器)**:  
  由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，IPD90N04S4-02-VB 非常適合用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換器中，能夠有效提高電源轉(zhuǎn)換效率，特別是應(yīng)用于需要高功率和低損耗的電路中。

IPD90N04S4-02-VB 憑借其高效的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻，廣泛應(yīng)用于需要高功率密度和高效能的各種模塊和應(yīng)用領(lǐng)域。