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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPD90N06S3L-07-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPD90N06S3L-07-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
  • ID 97A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPD90N06S3L-07-VB 產(chǎn)品簡介

IPD90N06S3L-07-VB 是一款高性能 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO252 封裝。該 MOSFET 設(shè)計(jì)用于處理 60V 的漏源電壓 (VDS),具備高達(dá) 97A 的漏極電流 (ID) 處理能力。其采用 Trench 技術(shù),提供極低的導(dǎo)通電阻,分別為 12mΩ (VGS=4.5V) 和 4.5mΩ (VGS=10V),適合在高效能應(yīng)用中使用。門極閾值電壓 (Vth) 為 3V,確保在標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電壓下能夠?qū)崿F(xiàn)可靠的開關(guān)性能。

### 二、IPD90N06S3L-07-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:單通道 N 溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**:60V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:3V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 12mΩ @ VGS=4.5V  
 - 4.5mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:97A  
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)  
- **最大功耗**:依據(jù)具體散熱條件而定,設(shè)計(jì)用于高電流應(yīng)用中的有效散熱需求

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高效能 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**  
  IPD90N06S3L-07-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用于高效能的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中。它能夠有效減少能量損失,提高轉(zhuǎn)換效率,適用于電源管理模塊、計(jì)算機(jī)電源和通信設(shè)備等領(lǐng)域。

2. **電動機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)**  
  在電動機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,該 MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其成為理想的功率開關(guān)選擇。無論是用于電動工具、電動汽車還是工業(yè)自動化系統(tǒng)中,它都能提供高效和可靠的電流控制。

3. **電源開關(guān)和負(fù)載管理**  
  IPD90N06S3L-07-VB 適用于各種電源開關(guān)和負(fù)載管理系統(tǒng)。它能夠高效地控制負(fù)載開關(guān),確保電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效性,特別是在要求高電流和低損耗的應(yīng)用場景中。

4. **汽車電子控制系統(tǒng)**  
  在汽車電子控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于功率開關(guān)和保護(hù)電路。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻能夠滿足汽車電子系統(tǒng)中對高效能和可靠性的需求,適用于汽車電源模塊和驅(qū)動控制系統(tǒng)。

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