### IPDH6N03LA G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
IPDH6N03LA G-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝，專為高效能應(yīng)用設(shè)計。它具有高達(dá) 20V 的漏源電壓（VDS）和 ±20V 的柵源電壓（VGS）。該 MOSFET 的柵極閾值電壓（Vth）在 0.5V 到 1.5V 之間，使用了先進(jìn)的 Trench 技術(shù)，能夠在低柵源電壓下提供極低的導(dǎo)通電阻。具體來說，在 VGS = 2.5V 時，其導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為 6mΩ，而在 VGS = 4.5V 時為 4.5mΩ，能夠承載高達(dá) 100A 的漏極電流。這些特性使得 IPDH6N03LA G-VB 適用于需要高開關(guān)頻率和高電流處理能力的應(yīng)用。
### IPDH6N03LA G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
1. **封裝類型**: TO252
2. **極性**: N 溝道
3. **漏源電壓 (VDS)**: 20V
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
5. **柵極閾值電壓 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 2.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
7. **漏極電流 (ID)**: 100A
8. **技術(shù)類型**: Trench
9. **功率耗散 (Ptot)**: 通常為 60W
10. **最大脈沖電流 (ID, pulse)**: 高達(dá) 200A
11. **輸入電容 (Ciss)**: 約 2000pF
12. **柵極電荷 (Qg)**: 典型值為 90nC
13. **反向恢復(fù)時間 (Trr)**: 典型值為 35ns
14. **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:
IPDH6N03LA G-VB 適用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換器中，特別是在需要高開關(guān)頻率和高電流處理能力的應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻在低柵源電壓下的優(yōu)越表現(xiàn)，可以有效提升轉(zhuǎn)換器的整體效率，減少功耗，并提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
2. **電動汽車 (EV) 電源管理**:
在電動汽車的電源管理系統(tǒng)中，該 MOSFET 可以用于電池管理和功率開關(guān)控制。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻幫助確保電池組和電動機(jī)的高效能量管理，提高電動汽車的運(yùn)行效率和可靠性。
3. **電源模塊**:
在電源模塊中，如電源管理 IC 和功率調(diào)節(jié)器，IPDH6N03LA G-VB 能夠處理大電流，提供高效的開關(guān)控制，適合用于要求高功率密度和高效能的應(yīng)用場景，確保系統(tǒng)在高負(fù)載情況下的穩(wěn)定運(yùn)行。
4. **電池保護(hù)電路**:
在電池保護(hù)電路中，該 MOSFET 可以作為開關(guān)元件用于過流保護(hù)和電池隔離。其低導(dǎo)通電阻在較低的柵源電壓下具有優(yōu)越的性能，有助于延長電池使用壽命并提升系統(tǒng)的整體安全性。
IPDH6N03LA G-VB 作為一款高效的 N 溝道 MOSFET，憑借其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，廣泛應(yīng)用于各種高功率、高效率的電源和管理模塊中。
