### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPF05N03LA-VB 是一款高性能單N溝道 MOSFET，封裝為 TO252。它具有20V的漏源電壓（VDS），±20V的柵源電壓（VGS），以及0.5~1.5V的閾值電壓（Vth）。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻為6mΩ（VGS=2.5V）和4.5mΩ（VGS=4.5V），最大漏極電流（ID）可達(dá)100A。采用先進(jìn)的Trench技術(shù)，IPF05N03LA-VB 提供極低的導(dǎo)通電阻，適用于需要高電流和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)景。
### 參數(shù)說(shuō)明
1. **封裝類(lèi)型**：TO252
2. **配置**：?jiǎn)蜰溝道
3. **漏源電壓 (VDS)**：20V
4. **柵源電壓 (VGS)**：±20V
5. **閾值電壓 (Vth)**：0.5~1.5V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
- 6mΩ @ VGS=2.5V
- 4.5mΩ @ VGS=4.5V
7. **漏極電流 (ID)**：100A
8. **技術(shù)**：Trench技術(shù)
9. **柵極電荷 (Qg)**：適中，適合快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用
10. **工作溫度范圍**：-55°C 至 175°C
11. **功耗 (Ptot)**：適合高功率應(yīng)用，具有良好的熱管理性能
### 適用領(lǐng)域和模塊
1. **高效電源管理**：IPF05N03LA-VB 在電源管理系統(tǒng)中，如高效開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)異。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其能夠有效減少功率損耗，提高轉(zhuǎn)換效率，非常適合于需要高效率和低功耗的電源模塊。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**：在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中，IPF05N03LA-VB 能夠處理大電流負(fù)載并提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能。這使其適用于電動(dòng)工具、電機(jī)控制器和其他高電流需求的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行和長(zhǎng)壽命。
3. **汽車(chē)電子**：在汽車(chē)電子系統(tǒng)中，如電動(dòng)汽車(chē)的電源管理和電池控制系統(tǒng)，該 MOSFET 能夠處理高電流負(fù)載，提供高效的開(kāi)關(guān)功能。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力有助于提高電動(dòng)汽車(chē)系統(tǒng)的整體效率和可靠性，特別是在電池管理和高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中。
4. **消費(fèi)電子**：對(duì)于高功率消費(fèi)電子產(chǎn)品，如充電器和電源適配器，IPF05N03LA-VB 可以處理高電流負(fù)載，提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能。它的高電流承載能力和低功耗特性有助于提高設(shè)備的效率，優(yōu)化能耗，適用于需要高效能和高電流控制的電子產(chǎn)品。
該 MOSFET 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其在各種要求高性能的電源和功率控制應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。
