### IPI030N10N3 G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IPI030N10N3 G-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET，采用 TO262 封裝，設(shè)計用于高電壓和高電流應(yīng)用。它能夠承受最高 100V 的漏源極電壓（VDS）和 ±20V 的柵源極電壓（VGS）。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻，VGS=10V 時為 9mΩ，VGS=4.5V 時為 10mΩ。這種低導(dǎo)通電阻使得 IPI030N10N3 G-VB 能夠有效地降低功率損耗，同時其高達(dá) 100A 的漏極電流承載能力使其適用于需要大電流的應(yīng)用場合。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO262
- **極性配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 10mΩ @ VGS=4.5V
 - 9mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench 溝槽型 MOSFET 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **高效電源轉(zhuǎn)換**：IPI030N10N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻使其在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異，特別是在需要高電流和高效率的直流-直流轉(zhuǎn)換器中。其高電流承載能力和低功耗特性能顯著提升轉(zhuǎn)換器的效率和可靠性。

2. **電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)**：在電動汽車的電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中，該 MOSFET 能夠處理高電流需求，提供穩(wěn)定的電機(jī)控制。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力提高了電動汽車系統(tǒng)的整體效率，并有助于延長電池壽命。

3. **大功率負(fù)載開關(guān)**：IPI030N10N3 G-VB 適用于需要高電流和低功耗的負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，如高功率開關(guān)電源和負(fù)載開關(guān)模塊。其高電流能力和低導(dǎo)通損耗確保了在大電流負(fù)載下的穩(wěn)定性能和低熱量產(chǎn)生。

4. **工業(yè)電源和功率管理**：在工業(yè)電源和功率管理系統(tǒng)中，該 MOSFET 可以有效地開關(guān)大電流負(fù)載，并提供高效的電流控制。其優(yōu)異的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻使其適合于各種工業(yè)電源應(yīng)用，確保系統(tǒng)的高效和穩(wěn)定運(yùn)行。

IPI030N10N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在電源轉(zhuǎn)換、電動汽車驅(qū)動、大功率負(fù)載開關(guān)以及工業(yè)電源管理等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景，特別是在需要高效能和高功率密度的應(yīng)用場合。