### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPI045N10N3 G-VB 是一款高性能單N溝道 MOSFET，封裝為 TO262。該 MOSFET 的漏源電壓（VDS）為100V，柵源電壓（VGS）為±20V，閾值電壓（Vth）為2.5V。它的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在 VGS=4.5V 時(shí)為10mΩ，在 VGS=10V 時(shí)為9mΩ，具有高達(dá)100A的最大漏極電流（ID）。采用先進(jìn)的Trench技術(shù)，IPI045N10N3 G-VB 提供極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的電流承載能力，適用于高效能功率開關(guān)應(yīng)用。
### 參數(shù)說(shuō)明
1. **封裝類型**：TO262
2. **配置**：?jiǎn)蜰溝道
3. **漏源電壓 (VDS)**：100V
4. **柵源電壓 (VGS)**：±20V
5. **閾值電壓 (Vth)**：2.5V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
- 10mΩ @ VGS=4.5V
- 9mΩ @ VGS=10V
7. **漏極電流 (ID)**：100A
8. **技術(shù)**：Trench技術(shù)
9. **柵極電荷 (Qg)**：適中，適合快速開關(guān)應(yīng)用
10. **工作溫度范圍**：-55°C 至 175°C
11. **功耗 (Ptot)**：適合高功率應(yīng)用，具備良好的散熱性能
### 適用領(lǐng)域和模塊
1. **高效電源管理系統(tǒng)**：IPI045N10N3 G-VB 在高效開關(guān)電源（SMPS）和DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)出色。其極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其能夠減少功率損耗，提高轉(zhuǎn)換效率，非常適合用于高效能電源模塊中，如計(jì)算機(jī)電源、通信設(shè)備電源等。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**：在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，如電動(dòng)汽車的電機(jī)控制器和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，IPI045N10N3 G-VB 能夠處理大電流負(fù)載，提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻確保電機(jī)控制的高效性和可靠性。
3. **汽車電子系統(tǒng)**：在汽車電子領(lǐng)域，包括電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的電源管理系統(tǒng)，該 MOSFET 能夠處理高電流，提供穩(wěn)定的開關(guān)功能。它的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力有助于提高系統(tǒng)效率和可靠性，特別是在電池管理和高功率開關(guān)應(yīng)用中。
4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**：對(duì)于高功率消費(fèi)電子產(chǎn)品，如充電器、電源適配器和LED驅(qū)動(dòng)器，IPI045N10N3 G-VB 能夠處理大電流負(fù)載，提供高效能的開關(guān)性能。其高電流承載能力和低功耗特性有助于提高設(shè)備的效率，優(yōu)化能耗，適用于高效能電子產(chǎn)品和功率控制應(yīng)用。
該 MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在各種高效能和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異，特別是在需要高效能和穩(wěn)定性的電源管理和功率控制系統(tǒng)中。
