### 一、IPI04CN10N G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
IPI04CN10N G-VB 是一款TO262封裝的單N溝道功率MOSFET，專為高電壓和高電流開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有100V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS），開啟閾值電壓（Vth）為2.5V。該MOSFET采用Trench技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，提供出色的電流處理能力和開關(guān)性能。在VGS為10V時(shí)，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為9mΩ，而在VGS為4.5V時(shí)為10mΩ，能夠支持高達(dá)100A的漏極電流（ID）。這使得IPI04CN10N G-VB 適合于高功率和高電壓的開關(guān)應(yīng)用，提供高效能和穩(wěn)定的性能，廣泛應(yīng)用于各種電源管理和電流控制系統(tǒng)。
### 二、IPI04CN10N G-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：
- **封裝類型**：TO262
- **配置**：?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓（VDS）**：100V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **開啟閾值電壓（Vth）**：2.5V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：
- 10mΩ @ VGS=4.5V
- 9mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：100A
- **技術(shù)類型**：Trench
- **工作溫度范圍**：-55°C 至 175°C
- **最大功耗**：根據(jù)具體散熱條件而定
- **典型應(yīng)用**：電源管理、高電流開關(guān)、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)等
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例：
1. **電源管理**：
在電源管理系統(tǒng)中，IPI04CN10N G-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻非常適合于DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源模塊。其能夠在高電壓下穩(wěn)定工作，并提供高效的電源轉(zhuǎn)換，優(yōu)化系統(tǒng)效率，適用于高負(fù)載電源系統(tǒng)和大功率電源管理應(yīng)用。
2. **高電流開關(guān)**：
由于其高達(dá)100A的漏極電流能力和9mΩ的低導(dǎo)通電阻，IPI04CN10N G-VB 是高電流開關(guān)應(yīng)用中的理想選擇。這使其特別適用于需要高效能開關(guān)的負(fù)載控制，如電池管理系統(tǒng)和高功率負(fù)載開關(guān)，能夠在高電流和高功率條件下提供穩(wěn)定可靠的開關(guān)性能。
3. **直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)**：
IPI04CN10N G-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其成為直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的理想選擇。在電動(dòng)工具和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中，能夠有效地處理電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行過(guò)程中的大電流負(fù)載，提高電機(jī)控制的效率和可靠性。
4. **負(fù)載開關(guān)**：
在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中，IPI04CN10N G-VB 的高電流處理能力和低功耗表現(xiàn)尤為重要，適用于開關(guān)電源和負(fù)載保護(hù)電路等場(chǎng)合。其高電流能力和穩(wěn)定開關(guān)性能能夠可靠地處理各種負(fù)載情況，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。
IPI04CN10N G-VB 的高電流和高電壓處理能力，以及低導(dǎo)通電阻，使其在電源管理、高功率開關(guān)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中表現(xiàn)卓越，提供了高效能和可靠的解決方案。
