### 產(chǎn)品簡介：
IPI057N08N3 G-VB是一款高性能單N溝道MOSFET，封裝類型為TO262，專為要求高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計。它具有80V的漏源電壓（VDS），適用于中等電壓環(huán)境。該MOSFET支持±20V的柵源電壓（VGS），其開啟閾值電壓（Vth）為3V，可在較低的柵電壓下導(dǎo)通。IPI057N08N3 G-VB采用Trench技術(shù)，提供極低的導(dǎo)通電阻，分別為10mΩ（@VGS=4.5V）和6mΩ（@VGS=10V），能夠承受高達(dá)85A的漏極電流。這使得它在高電流應(yīng)用中具有優(yōu)越的性能，能夠有效降低功耗和提升系統(tǒng)效率。
### 參數(shù)說明：
- **封裝類型**：TO262
- **溝道配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：80V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**：3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
- 10mΩ @ VGS=4.5V
- 6mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：85A
- **技術(shù)類型**：Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊：
1. **高效電源轉(zhuǎn)換**：IPI057N08N3 G-VB因其極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，非常適用于高效電源轉(zhuǎn)換器，如DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC轉(zhuǎn)換器。在這些應(yīng)用中，它能夠提供高效的電源轉(zhuǎn)換，減少功耗并提高系統(tǒng)的整體性能。
2. **電機驅(qū)動**：在需要高電流的電機驅(qū)動系統(tǒng)中，如工業(yè)電機和電動汽車電機，該MOSFET能夠有效處理大電流，確保電機的穩(wěn)定運行和高效驅(qū)動。
3. **開關(guān)電源模塊**：該MOSFET適用于開關(guān)電源模塊，包括計算機電源和電池充電器。其低導(dǎo)通電阻降低了開關(guān)損耗，提升了電源的整體效率和可靠性。
4. **負(fù)載開關(guān)**：在高功率負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中，如電源管理系統(tǒng)和負(fù)載控制系統(tǒng)，IPI057N08N3 G-VB能夠提供高電流和低功耗的開關(guān)控制，確保負(fù)載的穩(wěn)定開關(guān)和有效的功率分配。
5. **汽車電子**：在汽車電子系統(tǒng)中，例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和高功率電池管理系統(tǒng)，IPI057N08N3 G-VB能夠處理大電流需求，提供可靠的開關(guān)控制和高效的電源管理，支持汽車電子系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。
