--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO262
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 9mΩ@VGS=10V
- ID 100A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、IPI072N10N3 G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPI072N10N3 G-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO262 封裝,設(shè)計(jì)用于高電流和中等電壓的開關(guān)應(yīng)用。其最大漏源擊穿電壓為 100V,能夠承受高達(dá) 100A 的漏極電流。這款 MOSFET 采用 Trench 技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻,從而在高電流情況下保持高效的開關(guān)性能。IPI072N10N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和寬閾值電壓范圍使其非常適合用于需要高效電流控制的應(yīng)用場(chǎng)景。
### 二、IPI072N10N3 G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO262
- **溝道配置**:?jiǎn)螛O N 溝道
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**:100V
- **柵極驅(qū)動(dòng)電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 10mΩ @ VGS = 4.5V
- 9mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:100A
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **高效電源轉(zhuǎn)換器**:
在高效電源轉(zhuǎn)換器中,IPI072N10N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其能夠作為主要開關(guān)元件。其優(yōu)異的開關(guān)特性和高耐壓能力能夠提高電源轉(zhuǎn)換效率,適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。
2. **電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
電動(dòng)汽車中需要高電流控制的場(chǎng)合,例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),IPI072N10N3 G-VB 是一個(gè)理想選擇。它能夠在高負(fù)載情況下保持低導(dǎo)通電阻,從而確保電動(dòng)汽車電機(jī)的高效運(yùn)行,并提升整體動(dòng)力系統(tǒng)的性能。
3. **負(fù)載開關(guān)與保護(hù)電路**:
在各種負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,IPI072N10N3 G-VB 能夠處理高電流負(fù)載,其低導(dǎo)通電阻確保了高效的開關(guān)控制。它適用于電池開關(guān)、負(fù)載保護(hù)電路和高功率開關(guān)應(yīng)用,提供穩(wěn)定和可靠的負(fù)載管理。
4. **高功率電源管理**:
IPD072N10N3 G-VB 也適用于高功率電源管理系統(tǒng)。其能夠在高電流和中等電壓條件下高效工作,適用于大功率電源開關(guān)和電源調(diào)節(jié)模塊中,提供有效的電流控制和電源保護(hù)功能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛