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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPI072N10N3 G-VB一款TO262封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPI072N10N3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 9mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPI072N10N3 G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPI072N10N3 G-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO262 封裝,設(shè)計(jì)用于高電流和中等電壓的開關(guān)應(yīng)用。其最大漏源擊穿電壓為 100V,能夠承受高達(dá) 100A 的漏極電流。這款 MOSFET 采用 Trench 技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻,從而在高電流情況下保持高效的開關(guān)性能。IPI072N10N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和寬閾值電壓范圍使其非常適合用于需要高效電流控制的應(yīng)用場(chǎng)景。

### 二、IPI072N10N3 G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO262  
- **溝道配置**:?jiǎn)螛O N 溝道  
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**:100V  
- **柵極驅(qū)動(dòng)電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:2.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 10mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 9mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:100A  
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **高效電源轉(zhuǎn)換器**:
  在高效電源轉(zhuǎn)換器中,IPI072N10N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其能夠作為主要開關(guān)元件。其優(yōu)異的開關(guān)特性和高耐壓能力能夠提高電源轉(zhuǎn)換效率,適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

2. **電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  電動(dòng)汽車中需要高電流控制的場(chǎng)合,例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),IPI072N10N3 G-VB 是一個(gè)理想選擇。它能夠在高負(fù)載情況下保持低導(dǎo)通電阻,從而確保電動(dòng)汽車電機(jī)的高效運(yùn)行,并提升整體動(dòng)力系統(tǒng)的性能。

3. **負(fù)載開關(guān)與保護(hù)電路**:
  在各種負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,IPI072N10N3 G-VB 能夠處理高電流負(fù)載,其低導(dǎo)通電阻確保了高效的開關(guān)控制。它適用于電池開關(guān)、負(fù)載保護(hù)電路和高功率開關(guān)應(yīng)用,提供穩(wěn)定和可靠的負(fù)載管理。

4. **高功率電源管理**:
  IPD072N10N3 G-VB 也適用于高功率電源管理系統(tǒng)。其能夠在高電流和中等電壓條件下高效工作,適用于大功率電源開關(guān)和電源調(diào)節(jié)模塊中,提供有效的電流控制和電源保護(hù)功能。

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