### 一、IPI076N12N3 G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPI076N12N3 G-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET，封裝形式為T(mén)O262。該MOSFET設(shè)計(jì)用于高電壓、高電流應(yīng)用，具有100V的最大漏源電壓和高達(dá)100A的漏極電流承載能力。其柵源電壓范圍為±20V，柵極閾值電壓為2.5V，導(dǎo)通電阻低至9mΩ（在VGS=10V時(shí)）。采用先進(jìn)的Trench技術(shù)，這款MOSFET在開(kāi)關(guān)速度和導(dǎo)電性能方面表現(xiàn)優(yōu)異，非常適合用于高功率和高頻率的應(yīng)用場(chǎng)合。
### 二、IPI076N12N3 G-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**：TO262
- **配置**：?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：100V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**：2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
- 10mΩ@VGS=4.5V
- 9mΩ@VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：100A
- **技術(shù)**：Trench（溝槽技術(shù)）
- **其他特性**：低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度、高電流承載能力，適合高頻率和高功率應(yīng)用。
### 三、IPI076N12N3 G-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高電壓電源轉(zhuǎn)換器**：IPI076N12N3 G-VB 由于其高達(dá)100V的漏源電壓和低導(dǎo)通電阻，非常適用于高電壓電源轉(zhuǎn)換器。這使其能夠高效地處理高電壓電流負(fù)載，提高電源轉(zhuǎn)換效率，并減少能量損耗。
2. **電動(dòng)汽車(chē)逆變器**：在電動(dòng)汽車(chē)的逆變器中，該MOSFET能夠處理高電流和高電壓的需求，適合用于電動(dòng)汽車(chē)的功率轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其優(yōu)異的導(dǎo)電性能和低導(dǎo)通電阻有助于提升系統(tǒng)的整體效率和可靠性。
3. **高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器**：在高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器中，IPI076N12N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其能夠高效地進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換。這對(duì)需要高功率輸出的設(shè)備，如服務(wù)器和電力密集型應(yīng)用，尤為重要。
4. **工業(yè)電源管理**：在工業(yè)電源管理系統(tǒng)中，該MOSFET可以用作高效開(kāi)關(guān)元件，適用于高電壓和高電流的工業(yè)應(yīng)用。其優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能和高電流承載能力確保設(shè)備的高效運(yùn)行和穩(wěn)定性，滿(mǎn)足各種工業(yè)電源管理需求。
這些領(lǐng)域中的應(yīng)用展示了IPI076N12N3 G-VB 在高電壓和高功率條件下的卓越表現(xiàn)，使其成為高效能電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵組件。
