### IPI086N10N3 G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IPI086N10N3 G-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET，采用 TO262 封裝，專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 支持高達(dá) 100V 的漏源極電壓（VDS）和 ±20V 的柵源極電壓（VGS），采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)。其導(dǎo)通電阻在 VGS=10V 時為 9mΩ，在 VGS=4.5V 時為 10mΩ，能夠提供極低的功率損耗。具備高達(dá) 100A 的漏極電流承載能力，使其非常適合用于需要大電流處理的應(yīng)用場景。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO262
- **極性配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 10mΩ @ VGS=4.5V
 - 9mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench 溝槽型 MOSFET 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **高效電源轉(zhuǎn)換器**：IPI086N10N3 G-VB 在直流-直流轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)出色，特別是在需要高電流和高效率的應(yīng)用場合。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力幫助提高了轉(zhuǎn)換器的效率，減少了能量損耗，適用于高功率密度的電源模塊。

2. **電動汽車電機驅(qū)動**：該 MOSFET 能夠處理電動汽車中的大電流需求，提供高效的電機驅(qū)動控制。其低導(dǎo)通電阻確保電動機驅(qū)動系統(tǒng)的高效能，同時降低了功耗和熱量，適合用于電動汽車的動力系統(tǒng)。

3. **大功率負(fù)載開關(guān)**：IPI086N10N3 G-VB 是大功率負(fù)載開關(guān)的理想選擇，其高電流承載能力和低導(dǎo)通損耗使其能夠在各種高電流負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中保持穩(wěn)定性能。廣泛應(yīng)用于高功率開關(guān)電源和負(fù)載控制模塊。

4. **工業(yè)電源管理系統(tǒng)**：在工業(yè)電源管理系統(tǒng)中，該 MOSFET 提供高效的電流開關(guān)功能，適用于需要高電流和低功耗的電源管理應(yīng)用。其優(yōu)異的開關(guān)性能和高電流能力確保了系統(tǒng)的高效性和可靠性。

IPI086N10N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在電源轉(zhuǎn)換、電動汽車驅(qū)動、大功率負(fù)載開關(guān)以及工業(yè)電源管理等領(lǐng)域中表現(xiàn)優(yōu)異，特別適合需要高效能和高功率密度的應(yīng)用場景。