### 產(chǎn)品簡介：
IPI126N10N3 G-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET，采用TO262封裝，使用先進的Trench技術(shù)制造。該MOSFET設(shè)計用于高電壓和高電流應(yīng)用，能夠承受高達100V的漏源電壓（VDS）和100A的連續(xù)漏極電流（ID）。其柵極電壓（VGS）范圍為±20V，柵極閾值電壓（Vth）為2.5V，使得在較低柵極電壓下即可穩(wěn)定開啟。導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在不同柵極電壓下分別為10mΩ @ VGS=4.5V 和9mΩ @ VGS=10V，提供了優(yōu)異的電流傳輸性能和低功率損耗，非常適合要求高效率和高功率的應(yīng)用場景。
### 詳細參數(shù)說明：
- **封裝類型**：TO262
- **溝道配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：100V
- **柵極電壓 (VGS)**：±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**：2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
- 10mΩ @ VGS=4.5V
- 9mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**：100A
- **技術(shù)**：Trench技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例：
1. **高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器**：IPI126N10N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)異。它適用于降壓和升壓轉(zhuǎn)換器，能夠在高電流和高電壓環(huán)境下提供高效的能量轉(zhuǎn)換，減少功率損耗，提高轉(zhuǎn)換效率。
2. **電源管理系統(tǒng)**：在電源管理系統(tǒng)中，該MOSFET能夠承擔(dān)高電流負載，適用于電源開關(guān)、電池管理和負載切換等應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力確保了系統(tǒng)的高效能量管理和穩(wěn)定運行。
3. **電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)**：IPI126N10N3 G-VB 適用于電動汽車的電動馬達控制和電池管理系統(tǒng)。其高電流處理能力和低功率損耗能夠提升電動汽車的性能和續(xù)航能力，確?？煽康碾妱玉R達驅(qū)動和電池管理。
4. **電力逆變器**：在電力逆變器應(yīng)用中，如光伏逆變器和風(fēng)力發(fā)電逆變器，該MOSFET能夠處理高電壓和高電流負載。它的高效開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻確保了逆變器的高效穩(wěn)定運行，適合用于可再生能源系統(tǒng)中的電力轉(zhuǎn)換和管理。
IPI126N10N3 G-VB 在這些高功率應(yīng)用中，通過其卓越的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻，提供了高效的性能和可靠的電力管理，是多種高功率開關(guān)和電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。
