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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPI22N03S4L-15-VB一款TO262封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPI22N03S4L-15-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2V
  • RDS(ON) 2.4mΩ@VGS=10V
  • ID 98A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:
IPI22N03S4L-15-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO262封裝,專為需要高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓為30V,支持±20V的柵源電壓(VGS),開啟閾值電壓為2V。憑借先進(jìn)的Trench技術(shù),IPI22N03S4L-15-VB提供非常低的導(dǎo)通電阻,約為2.4mΩ(@VGS=10V),可處理高達(dá)98A的電流。此產(chǎn)品非常適合對高效電流處理和低功耗要求嚴(yán)格的電源管理應(yīng)用。

### 參數(shù)說明:
- **封裝類型**:TO262
- **溝道配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**:2V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:2.4mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:98A
- **技術(shù)類型**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊:
1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:IPI22N03S4L-15-VB的低導(dǎo)通電阻使其在高效DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)出色。該器件能夠處理高達(dá)98A的電流,有效減少功耗和轉(zhuǎn)換損失,適用于電池供電設(shè)備或移動(dòng)設(shè)備中的電源轉(zhuǎn)換模塊。

2. **電機(jī)控制**:在汽車和工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)中,這款MOSFET憑借其高電流能力和低導(dǎo)通電阻,適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和伺服控制器,確保高效穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)和低能耗。

3. **負(fù)載開關(guān)和電源管理**:IPI22N03S4L-15-VB適合用作高功率負(fù)載開關(guān),廣泛應(yīng)用于智能電源管理系統(tǒng)、負(fù)載切換和過流保護(hù)模塊中,支持高負(fù)載能力并提升系統(tǒng)可靠性。

4. **電池管理系統(tǒng)**:在需要高電流處理的電池管理系統(tǒng)(BMS)中,特別是用于電動(dòng)汽車和儲(chǔ)能系統(tǒng),該器件能夠提供低損耗、高效的電流管理,優(yōu)化充放電效率。

5. **消費(fèi)電子與計(jì)算設(shè)備**:IPI22N03S4L-15-VB在需要高效電源管理的消費(fèi)電子產(chǎn)品和計(jì)算設(shè)備中表現(xiàn)良好,如筆記本電腦、服務(wù)器和智能家居設(shè)備,有助于降低系統(tǒng)功耗并延長電池壽命。

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