### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 - IPI26CN10N G-VB

IPI26CN10N G-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET，采用TO262封裝，具有優(yōu)越的導(dǎo)通性能和電流處理能力。其主要特征包括100V的漏極-源極電壓（VDS）和高達(dá)100A的漏極電流承載能力，能夠在高功率應(yīng)用中提供出色的性能表現(xiàn)。該MOSFET使用Trench技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至9mΩ @ VGS=10V，確保低導(dǎo)通損耗和高效率，是各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**：TO262  
- **溝道類型**：?jiǎn)蜰溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**：100V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**：±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**：2.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
 - 10mΩ @ VGS=4.5V
 - 9mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**：100A  
- **技術(shù)類型**：Trench技術(shù)  
- **熱性能**：優(yōu)良的散熱性能，適合大電流處理

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **電動(dòng)工具和電機(jī)控制**  
  IPI26CN10N G-VB 適用于各種電動(dòng)工具和電機(jī)控制應(yīng)用。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其能有效驅(qū)動(dòng)高功率電機(jī)，并提供出色的效率和低損耗，確保系統(tǒng)長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行穩(wěn)定。

2. **電源管理和DC-DC轉(zhuǎn)換器**  
  該MOSFET非常適合用于電源管理系統(tǒng)，如DC-DC轉(zhuǎn)換器。由于其較低的導(dǎo)通電阻，能夠在轉(zhuǎn)換過(guò)程中減少損耗，從而提高整個(gè)系統(tǒng)的效率。適用于服務(wù)器、通信設(shè)備和工業(yè)電源系統(tǒng)。

3. **電動(dòng)汽車和電池管理系統(tǒng)**  
  在電動(dòng)汽車和電池管理系統(tǒng)中，IPI26CN10N G-VB 可以處理高電流充放電需求。其低導(dǎo)通損耗和高開關(guān)速度，使其在充電器和逆變器中表現(xiàn)優(yōu)異，提高電池管理系統(tǒng)的整體效率。

4. **工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備**  
  該MOSFET還可以用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備，如PLC控制器和機(jī)器人應(yīng)用中。其高耐壓和高電流處理能力，使其適合在要求快速響應(yīng)和高效控制的環(huán)境中運(yùn)行。

5. **LED驅(qū)動(dòng)和照明控制**  
  IPI26CN10N G-VB 在LED驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中也能表現(xiàn)良好。低導(dǎo)通電阻有助于提供穩(wěn)定的電流輸出，特別適用于高功率LED照明系統(tǒng)，確保高亮度、低發(fā)熱以及高效能的照明效果。