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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPI320N20N3 G-VB一款TO262封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPI320N20N3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 38mΩ@VGS=10V
  • ID 45A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPI320N20N3 G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPI320N20N3 G-VB 是一款高電壓、單極 N 溝道 MOSFET,采用 TO262 封裝,設(shè)計(jì)用于高電流及中高電壓的電源開關(guān)和控制應(yīng)用。它的漏源擊穿電壓高達(dá) 200V,漏極電流最大可達(dá) 45A,采用了 Trench 溝槽技術(shù),確保在高電壓條件下仍保持低導(dǎo)通電阻和高效的開關(guān)性能。IPI320N20N3 G-VB 適用于多種高功率電子模塊,能夠在嚴(yán)苛的電氣條件下提供穩(wěn)定的性能。

### 二、IPI320N20N3 G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO262  
- **溝道配置**:?jiǎn)螛O N 溝道  
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**:200V  
- **柵極驅(qū)動(dòng)電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 38mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:45A  
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **光伏逆變器**:  
  在光伏發(fā)電系統(tǒng)中,逆變器需要處理高電壓和大電流的轉(zhuǎn)換,IPI320N20N3 G-VB 的 200V 耐壓能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠在高效光伏逆變器中工作,從而最大化電能轉(zhuǎn)換效率。

2. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:  
  該 MOSFET 在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用尤為突出,特別是需要精確控制高電流的環(huán)境。IPI320N20N3 G-VB 的高電流承載能力和快速開關(guān)性能,使其在工業(yè)電機(jī)控制模塊中提供卓越的效率和可靠性。

3. **開關(guān)電源 (SMPS)**:  
  在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,該 MOSFET 提供了快速的開關(guān)響應(yīng)和低能耗特點(diǎn),尤其在中高功率的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、AC-DC 轉(zhuǎn)換器中具有良好表現(xiàn),有助于提升系統(tǒng)的整體效率。

4. **電動(dòng)工具與電動(dòng)汽車充電設(shè)備**:  
  電動(dòng)工具和充電設(shè)備需要 MOSFET 能夠處理高電流和快速切換的需求。IPI320N20N3 G-VB 能夠應(yīng)對(duì)這些需求,確保高效的電能傳輸和穩(wěn)定的電路性能,延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。

這種產(chǎn)品非常適合于需要高電壓、高電流開關(guān)和控制的工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用,能夠在各種高效能電路中提供可靠的功率管理。

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