### 產(chǎn)品簡介

IPI530N15N3 G-VB 是一款采用 TO262 封裝的高性能單N溝道 MOSFET，專為高電壓和高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其漏源電壓（VDS）為150V，柵源電壓（VGS）為±20V，閾值電壓（Vth）為3V，導(dǎo)通電阻在 VGS=10V 時為30mΩ，能夠支持高達(dá)50A 的漏極電流（ID）。該 MOSFET 基于先進(jìn)的 Trench 技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的電流處理能力，適合用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)和電動汽車等高功率應(yīng)用。

### 參數(shù)說明

1. **封裝類型**：TO262  
2. **配置**：單N溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**：150V  
4. **柵源電壓 (VGS)**：±20V  
5. **閾值電壓 (Vth)**：3V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：30mΩ @ VGS=10V  
7. **漏極電流 (ID)**：50A  
8. **技術(shù)**：Trench技術(shù)  
9. **總柵極電荷 (Qg)**：中等，適合快速開關(guān)  
10. **功耗 (Ptot)**：適合高功率應(yīng)用  
11. **工作溫度范圍**：-55°C 至 175°C  
12. **結(jié)溫 (Tj)**：可承受高溫操作

### 適用領(lǐng)域和模塊

1. **開關(guān)電源與電源管理**：IPI530N15N3 G-VB 在高效開關(guān)電源和電源管理模塊中具有優(yōu)異的表現(xiàn)。由于其150V的高漏源電壓和較低的導(dǎo)通電阻，這款MOSFET能夠提高電源轉(zhuǎn)換效率，減少功率損耗，適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開關(guān)電源等場景。

2. **電動汽車與充電基礎(chǔ)設(shè)施**：在電動汽車的驅(qū)動控制系統(tǒng)中，這款 MOSFET 的高電壓和高電流能力使其特別適合用于電池管理系統(tǒng)和動力系統(tǒng)的功率開關(guān)應(yīng)用。此外，它在電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施中同樣表現(xiàn)出色，能夠承受高電壓和高電流的需求。

3. **工業(yè)控制與電機(jī)驅(qū)動**：IPI530N15N3 G-VB 在工業(yè)控制領(lǐng)域中的應(yīng)用包括電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載開關(guān)等場合，其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其在控制大功率電機(jī)時能夠提供高效的開關(guān)性能和可靠性。

4. **光伏逆變器**：在光伏逆變器中，這款 MOSFET 可以用于電能的轉(zhuǎn)換和分配，通過處理高電壓和大電流實(shí)現(xiàn)更高效的電能利用，提升系統(tǒng)整體的能效表現(xiàn)。

IPI530N15N3 G-VB 的高電壓處理能力和穩(wěn)定的導(dǎo)通電阻，使其在需要高效率、高功率控制的應(yīng)用中表現(xiàn)卓越，尤其適用于電源轉(zhuǎn)換、汽車電子和工業(yè)控制等領(lǐng)域。