--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO262
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2V
- RDS(ON) 5.7mΩ@VGS=10V
- ID 75A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、IPI70N04S3-07-VB 產(chǎn)品簡介:
IPI70N04S3-07-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,封裝為TO262,專為高電流開關(guān)和電源管理應(yīng)用設(shè)計。其漏源電壓(VDS)為60V,柵源電壓(VGS)為±20V,開啟閾值電壓(Vth)為2V。這款MOSFET采用Trench技術(shù),具備極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在VGS=10V時為5.7mΩ,支持高達75A的漏極電流(ID)。憑借其高效的開關(guān)特性和出色的電流處理能力,IPI70N04S3-07-VB 適用于各種電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)和直流電機控制領(lǐng)域。
### 二、IPI70N04S3-07-VB 詳細參數(shù)說明:
- **封裝類型**:TO262
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:60V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟閾值電壓(Vth)**:2V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:5.7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:75A
- **技術(shù)類型**:Trench
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **功耗**:依賴于散熱條件
- **封裝外形尺寸**:標(biāo)準(zhǔn)TO262封裝
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. **電源管理**:
在電源管理系統(tǒng)中,IPI70N04S3-07-VB 因其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,特別適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC電源和不間斷電源(UPS)等應(yīng)用。其Trench技術(shù)保證了低功耗、高效能的開關(guān)性能,能夠優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換效率,減少能量損失,尤其適合工業(yè)級和消費級的電源模塊。
2. **直流電機驅(qū)動**:
由于其75A的高電流能力和低RDS(ON),IPI70N04S3-07-VB 在直流電機驅(qū)動應(yīng)用中具有優(yōu)異的表現(xiàn)。該器件能夠處理電機啟動和運行期間的大電流負(fù)載,適用于電動工具、電動汽車和工業(yè)機械中的直流電機控制,提供更高的效率和性能。
3. **負(fù)載開關(guān)**:
該MOSFET的高電流和低導(dǎo)通電阻特性使其非常適用于大功率負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,例如在高電流供電線路中用于負(fù)載保護和切換。IPI70N04S3-07-VB 能夠在開關(guān)電源和電流控制系統(tǒng)中有效地處理各種負(fù)載需求,保證系統(tǒng)的可靠性和安全性。
4. **電池管理**:
在電池管理系統(tǒng)中,特別是電動汽車和儲能系統(tǒng),IPI70N04S3-07-VB 由于其高效能和大電流處理能力,非常適合用于電池充放電管理、電壓調(diào)節(jié)和電流控制等場合。該器件的低功耗特性能夠延長電池使用壽命,優(yōu)化電池管理系統(tǒng)的性能。
IPI70N04S3-07-VB 的高性能特點和廣泛的應(yīng)用場景,使其成為各種功率轉(zhuǎn)換和電流控制場合的理想選擇,尤其在高效能和高電流負(fù)載需求的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12