### IPI80N04S2-H4-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IPI80N04S2-H4-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET，采用 TO262 封裝，專為高電流和中等電壓應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 支持最高 60V 的漏源極電壓（VDS）和 ±20V 的柵源極電壓（VGS）。其開啟電壓（Vth）為 2V，具有極低的導(dǎo)通電阻，在 VGS=10V 時為 5.7mΩ，能夠承載高達(dá) 75A 的漏極電流。這款 MOSFET 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)，優(yōu)化了開關(guān)性能和功耗，適合于需要高效能和低功耗的應(yīng)用場景。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO262
- **極性配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 2V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 5.7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 75A
- **技術(shù)**: Trench 溝槽型 MOSFET 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **高效電源轉(zhuǎn)換器**：IPI80N04S2-H4-VB 在直流-直流轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源中表現(xiàn)優(yōu)異。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使得它能夠高效地轉(zhuǎn)換電源，同時降低功率損耗，適用于要求高效能的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

2. **電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)**：在電動汽車和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中，這款 MOSFET 能夠處理高電流需求，提供穩(wěn)定的電機(jī)控制。低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力有助于提高電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的整體效率，并減少功耗和熱量。

3. **大功率負(fù)載開關(guān)**：IPI80N04S2-H4-VB 適用于高功率負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。它能夠在高電流負(fù)載下保持穩(wěn)定的性能，并降低開關(guān)損耗，廣泛應(yīng)用于高功率開關(guān)電源和負(fù)載開關(guān)模塊中。

4. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**：在電池管理系統(tǒng)中，該 MOSFET 可以用于控制和保護(hù)電池組，特別是在電動汽車、儲能系統(tǒng)和可再生能源系統(tǒng)中。它的高電流處理能力和低功耗性能確保了系統(tǒng)的高效和可靠運(yùn)行。

IPI80N04S2-H4-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、大功率負(fù)載開關(guān)和電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域中表現(xiàn)出色，尤其適合于需要高效率和高功率密度的應(yīng)用場合。