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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPI80N04S4-03-VB一款TO262封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPI80N04S4-03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2V
  • RDS(ON) 5.7mΩ@VGS=10V
  • ID 75A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPI80N04S4-03-VB 產(chǎn)品簡介

IPI80N04S4-03-VB 是一款高性能 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO262 封裝。該器件支持高達(dá) 60V 的漏源電壓 (VDS) 和 75A 的漏極電流 (ID),利用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)實(shí)現(xiàn)了非常低的導(dǎo)通電阻,僅為 5.7mΩ(在 VGS=10V 下)。其柵極閾值電壓 (Vth) 為 2V,適合用于低柵極驅(qū)動電壓應(yīng)用。IPI80N04S4-03-VB 的高電流處理能力和低功耗特性使其非常適合用于電源管理、電機(jī)控制及高效負(fù)載開關(guān)等多種應(yīng)用場景。

### 二、IPI80N04S4-03-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO262  
- **配置**:單通道 N 溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**:60V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:2V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 5.7mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:75A  
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)  
- **功耗**:具體功耗取決于應(yīng)用中的散熱條件  
- **開關(guān)速度**:快速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**  
  IPI80N04S4-03-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。在數(shù)據(jù)中心電源、通信設(shè)備和計算機(jī)電源模塊中,它能夠顯著提高能效并降低功耗,確保電源的高效穩(wěn)定運(yùn)行。

2. **電動機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)**  
  在電動機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,該 MOSFET 可以用作功率開關(guān),以控制電機(jī)的啟動、停止和運(yùn)行。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻在電動汽車、電動工具和工業(yè)自動化設(shè)備的電機(jī)控制系統(tǒng)中提供了可靠的性能。

3. **電源開關(guān)和負(fù)載控制**  
  IPI80N04S4-03-VB 可作為高效電源開關(guān)和負(fù)載控制器件,特別適合用于高功率負(fù)載的開關(guān)控制。其低導(dǎo)通電阻確保了較低的功耗和高效的負(fù)載控制,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子產(chǎn)品、電池管理系統(tǒng)和電源保護(hù)電路中。

4. **汽車電子系統(tǒng)**  
  在汽車電子應(yīng)用中,IPI80N04S4-03-VB 可用于電源管理和負(fù)載開關(guān),滿足汽車電源模塊和驅(qū)動控制系統(tǒng)對高效能和可靠性的要求。它適用于汽車電子控制單元(ECU)、電動汽車的驅(qū)動系統(tǒng)和電源保護(hù)電路。

IPI80N04S4-03-VB 的卓越性能和高效能使其成為各種高電流和低功耗應(yīng)用的理想選擇,提供了穩(wěn)定的開關(guān)控制解決方案。

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