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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPI80N04S4-04-VB一款TO262封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPI80N04S4-04-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2V
  • RDS(ON) 5.7mΩ@VGS=10V
  • ID 75A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
IPI80N04S4-04-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,封裝類型為T(mén)O262,專為需要高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET的最大漏源電壓(VDS)為60V,支持±20V的柵源電壓(VGS),開(kāi)啟閾值電壓為2V。IPI80N04S4-04-VB采用Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻,5.7mΩ(@VGS=10V),并能夠處理高達(dá)75A的漏極電流。這使得它非常適合用于高電流、高效率的電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中。

### 參數(shù)說(shuō)明:
- **封裝類型**:TO262
- **溝道配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **開(kāi)啟閾值電壓 (Vth)**:2V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:5.7mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:75A
- **技術(shù)類型**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊:
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:IPI80N04S4-04-VB在電源轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)異,特別是高效DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC轉(zhuǎn)換器。低導(dǎo)通電阻有助于減少功耗和熱量,提高電源轉(zhuǎn)換效率,適用于各種電子設(shè)備的電源模塊。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電動(dòng)汽車和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該MOSFET能夠有效處理大電流,提供穩(wěn)定可靠的電機(jī)控制。低導(dǎo)通電阻減少了電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的功耗,提升了系統(tǒng)效率和性能。

3. **開(kāi)關(guān)電源模塊**:IPI80N04S4-04-VB適用于開(kāi)關(guān)電源模塊,包括計(jì)算機(jī)電源和充電器。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其能夠提供高效的開(kāi)關(guān)操作,提升電源模塊的性能和可靠性。

4. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:在高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,如電源管理系統(tǒng)和高功率負(fù)載控制,IPI80N04S4-04-VB能夠提供高效的開(kāi)關(guān)控制,減少功耗并確保負(fù)載的穩(wěn)定性。

5. **汽車電子系統(tǒng)**:在汽車電子系統(tǒng)中,如電池管理系統(tǒng)(BMS)和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng),該MOSFET能夠處理高電流需求,支持高效的電源管理和穩(wěn)定的電流控制,提升汽車電子系統(tǒng)的整體性能和可靠性。

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