### IPP048N06L G-VB MOSFET 產品簡介

IPP048N06L G-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET，采用 TO220 封裝，專為需要高電流和低導通電阻的應用設計。該 MOSFET 支持最高 60V 的漏源電壓（VDS）和 ±20V 的柵源電壓（VGS）。它的柵極閾值電壓（Vth）為 3V，使其能夠在相對較低的柵電壓下開始導通。采用先進的 Trench 技術，IPP048N06L G-VB 提供了優(yōu)異的導通電阻（RDS(ON)），在 VGS = 10V 時僅為 3mΩ。這使得其在高電流應用中表現出色，能夠承受高達 210A 的漏極電流（ID）。此 MOSFET 適合用于各種要求高電流、高效率的電源管理和開關應用。

### IPP048N06L G-VB 詳細參數說明

1. **封裝類型**: TO220  
2. **配置**: 單 N 溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**: 60V  
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
5. **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V  
6. **導通電阻 (RDS(ON))**: 
  - 9mΩ @ VGS = 4.5V  
  - 3mΩ @ VGS = 10V  
7. **漏極電流 (ID)**: 210A  
8. **最大脈沖電流 (ID, pulse)**: 500A  
9. **功率耗散 (Ptot)**: 150W  
10. **技術類型**: Trench  
11. **輸入電容 (Ciss)**: 約 4000pF  
12. **柵極電荷 (Qg)**: 典型值為 120nC  
13. **反向恢復時間 (Trr)**: 典型值為 25ns  
14. **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C  
15. **最大結溫 (Tj)**: 175°C  

### 應用領域和模塊示例

1. **高功率電源管理**:  
  IPP048N06L G-VB 非常適用于高功率電源管理系統(tǒng)，如 DC-DC 轉換器和電源開關。其低導通電阻和高電流能力使其在處理大功率應用時能夠顯著減少功耗，提升系統(tǒng)效率，適合高效能電源模塊和需要處理大量電流的應用場景。

2. **電動汽車 (EV) 電機驅動**:  
  在電動汽車中，該 MOSFET 可用于電機驅動系統(tǒng)。由于其高電流承載能力和低導通電阻，它能夠有效驅動電動機，并在高負載條件下保持低能耗，提升電動汽車的動力系統(tǒng)性能和續(xù)航能力。

3. **工業(yè)設備和電機控制**:  
  在工業(yè)自動化設備中，IPP048N06L G-VB 可以應用于電機控制和功率開關模塊。其高電流處理能力和低導通電阻確保了電機驅動系統(tǒng)的高效運行，特別是在需要大電流和高效率的工業(yè)應用中表現優(yōu)異。

4. **電源開關和保護電路**:  
  該 MOSFET 也適用于電源開關和保護電路，例如在開關電源（SMPS）和功率保護模塊中。其優(yōu)良的開關性能和高電流處理能力幫助實現穩(wěn)定的電源開關操作，并提供有效的電路保護。

IPP048N06L G-VB 由于其卓越的電流處理能力、低導通電阻和優(yōu)異的開關性能，被廣泛應用于高功率電源管理、電動汽車、電機控制和電源保護等多個領域。