### 產(chǎn)品簡介

IPP048N12N3 G-VB 是一款高性能單N溝道 MOSFET，采用 TO220 封裝，專為高電流和高效率應用設計。其漏源電壓（VDS）為100V，柵源電壓（VGS）為±20V，閾值電壓（Vth）為3V。該 MOSFET 在 VGS=10V 時的導通電阻僅為5mΩ，能夠支持高達120A的漏極電流（ID）。基于先進的 Trench 技術(shù)，IPP048N12N3 G-VB 提供了極低的導通電阻和優(yōu)異的電流處理能力，非常適合高功率開關(guān)和高效率電源應用。

### 參數(shù)說明

1. **封裝類型**：TO220  
2. **配置**：單N溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**：100V  
4. **柵源電壓 (VGS)**：±20V  
5. **閾值電壓 (Vth)**：3V  
6. **導通電阻 (RDS(ON))**：  
  - 5mΩ @ VGS=10V  
7. **漏極電流 (ID)**：120A  
8. **技術(shù)**：Trench技術(shù)  
9. **總柵極電荷 (Qg)**：低，適合快速開關(guān)  
10. **功耗 (Ptot)**：適合高功率應用  
11. **工作溫度范圍**：-55°C 至 175°C  
12. **結(jié)溫 (Tj)**：可承受高溫操作

### 適用領(lǐng)域和模塊

1. **高效能電源開關(guān)**：IPP048N12N3 G-VB 的低導通電阻和高電流承載能力使其在高效能電源開關(guān)模塊中表現(xiàn)優(yōu)異，例如高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 電源適配器。它能夠顯著降低功率損耗，提升電源轉(zhuǎn)換效率，適用于高功率電源設計。

2. **電動汽車和電池管理系統(tǒng)**：在電動汽車和電池管理系統(tǒng)中，該 MOSFET 的高電流處理能力和低導通電阻確保了電池管理系統(tǒng)的高效能和可靠性，特別適用于電池開關(guān)和電動機驅(qū)動系統(tǒng)。其高耐壓特性使其能在苛刻的電池管理環(huán)境中穩(wěn)定工作。

3. **工業(yè)控制和電機驅(qū)動**：在工業(yè)控制系統(tǒng)和電機驅(qū)動應用中，IPP048N12N3 G-VB 提供穩(wěn)定的性能和高效的開關(guān)功能。其高電流處理能力和低導通電阻使其適用于控制高功率負載，如工業(yè)電機驅(qū)動和負載開關(guān)，能夠有效提高系統(tǒng)的整體效率。

4. **消費電子產(chǎn)品**：在高功率消費電子產(chǎn)品（如高功率充電器、功率放大器等）中，這款 MOSFET 的低導通電阻和高電流能力有助于提高設備的整體能效，特別適用于需要高效能和高功率控制的電子設備。

IPP048N12N3 G-VB 的低導通電阻和高電流處理能力，使其在高效能電源開關(guān)、電動汽車、電池管理系統(tǒng)、工業(yè)控制以及消費電子產(chǎn)品等領(lǐng)域中表現(xiàn)卓越，能夠有效提升系統(tǒng)的效率和可靠性。