### 產品簡介
IPP048N12N3 G-VB 是一款高性能單N溝道 MOSFET，采用 TO220 封裝，專為高電流和高效率應用設計。其漏源電壓（VDS）為100V，柵源電壓（VGS）為±20V，閾值電壓（Vth）為3V。該 MOSFET 在 VGS=10V 時的導通電阻僅為5mΩ，能夠支持高達120A的漏極電流（ID）?；谙冗M的 Trench 技術，IPP048N12N3 G-VB 提供了極低的導通電阻和優(yōu)異的電流處理能力，非常適合高功率開關和高效率電源應用。
### 參數說明
1. **封裝類型**：TO220
2. **配置**：單N溝道
3. **漏源電壓 (VDS)**：100V
4. **柵源電壓 (VGS)**：±20V
5. **閾值電壓 (Vth)**：3V
6. **導通電阻 (RDS(ON))**：
- 5mΩ @ VGS=10V
7. **漏極電流 (ID)**：120A
8. **技術**：Trench技術
9. **總柵極電荷 (Qg)**：低，適合快速開關
10. **功耗 (Ptot)**：適合高功率應用
11. **工作溫度范圍**：-55°C 至 175°C
12. **結溫 (Tj)**：可承受高溫操作
### 適用領域和模塊
1. **高效能電源開關**：IPP048N12N3 G-VB 的低導通電阻和高電流承載能力使其在高效能電源開關模塊中表現優(yōu)異，例如高效 DC-DC 轉換器和 AC-DC 電源適配器。它能夠顯著降低功率損耗，提升電源轉換效率，適用于高功率電源設計。
2. **電動汽車和電池管理系統(tǒng)**：在電動汽車和電池管理系統(tǒng)中，該 MOSFET 的高電流處理能力和低導通電阻確保了電池管理系統(tǒng)的高效能和可靠性，特別適用于電池開關和電動機驅動系統(tǒng)。其高耐壓特性使其能在苛刻的電池管理環(huán)境中穩(wěn)定工作。
3. **工業(yè)控制和電機驅動**：在工業(yè)控制系統(tǒng)和電機驅動應用中，IPP048N12N3 G-VB 提供穩(wěn)定的性能和高效的開關功能。其高電流處理能力和低導通電阻使其適用于控制高功率負載，如工業(yè)電機驅動和負載開關，能夠有效提高系統(tǒng)的整體效率。
4. **消費電子產品**：在高功率消費電子產品（如高功率充電器、功率放大器等）中，這款 MOSFET 的低導通電阻和高電流能力有助于提高設備的整體能效，特別適用于需要高效能和高功率控制的電子設備。
IPP048N12N3 G-VB 的低導通電阻和高電流處理能力，使其在高效能電源開關、電動汽車、電池管理系統(tǒng)、工業(yè)控制以及消費電子產品等領域中表現卓越，能夠有效提升系統(tǒng)的效率和可靠性。
