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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP057N06N3 G-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP057N06N3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPP057N06N3 G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPP057N06N3 G-VB 是一款高性能的N-Channel MOSFET,封裝形式為TO220。采用Trench技術(shù),具備優(yōu)異的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,適用于高功率和高效率的電子電路。其主要特點(diǎn)包括低RDS(ON)和寬廣的VDS及VGS范圍,使其成為在各種應(yīng)用中都能夠可靠工作的理想選擇。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N通道
- **最大漏極源極電壓 (VDS)**: 60V
- **最大柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊

1. **開關(guān)電源 (SMPS)**:
  IPP057N06N3 G-VB 具有極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),使其在開關(guān)電源中能夠顯著減少功率損耗。其高電流承載能力也使其在高功率輸出的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,比如計(jì)算機(jī)電源和工業(yè)電源。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:
  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,IPP057N06N3 G-VB 可作為高效的開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的精確控制和高效驅(qū)動(dòng)。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保了電機(jī)驅(qū)動(dòng)的穩(wěn)定性和效率。

3. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:
  由于其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,IPP057N06N3 G-VB 非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中,能夠有效提高轉(zhuǎn)換效率和降低功率損耗。這對(duì)于便攜式設(shè)備和電池供電的應(yīng)用尤為重要。

4. **功率放大器**:
  在功率放大器模塊中,IPP057N06N3 G-VB 可以用于優(yōu)化信號(hào)放大過程,通過其低RDS(ON)減少功率損耗,提升放大器的總體性能,特別是在高頻和高功率應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。

5. **汽車電子**:
  在汽車電子系統(tǒng)中,如電動(dòng)窗控制、電池管理系統(tǒng)等,IPP057N06N3 G-VB 的高電流承載能力和可靠性能夠確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行,特別是在對(duì)功率管理和開關(guān)控制有嚴(yán)格要求的應(yīng)用中。

這些應(yīng)用示例展示了IPP057N06N3 G-VB 在各種高功率、高效率場(chǎng)景下的廣泛適用性和優(yōu)異性能。

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