--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 80V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 100A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**IPP057N08N3 G-VB** 是一款高性能的N-Channel MOSFET,采用TO220封裝。它具有低的導(dǎo)通電阻和高的電流處理能力,適合需要高功率和高效率的應(yīng)用。該MOSFET利用Trench技術(shù)制造,能有效減少開(kāi)關(guān)損耗,并提供高效能和可靠性。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: IPP057N08N3 G-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N-Channel
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 80V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源管理**: 在電源轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)電路中,IPP057N08N3 G-VB的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源管理系統(tǒng)的理想選擇。它能有效提高能效,減少功率損耗。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該MOSFET可用于高電流電機(jī)控制電路,其高耐壓和低導(dǎo)通電阻確保了電機(jī)在啟動(dòng)和運(yùn)行過(guò)程中的穩(wěn)定性和高效性。
3. **電動(dòng)汽車 (EV)**: 對(duì)于電動(dòng)汽車的動(dòng)力系統(tǒng),尤其是電池管理和充電系統(tǒng),IPP057N08N3 G-VB提供了高效的開(kāi)關(guān)性能和耐用性,支持大電流處理,提升了整體系統(tǒng)的效率和可靠性。
4. **工業(yè)控制**: 在工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中,MOSFET的高電流能力和穩(wěn)定性使其能夠有效控制高功率負(fù)載,保證系統(tǒng)的正常運(yùn)行。
5. **消費(fèi)電子**: 在消費(fèi)電子產(chǎn)品,如高性能音響系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)硬件中,使用該MOSFET能夠提供高效的功率管理,改善設(shè)備的性能和耐用性。
總之,IPP057N08N3 G-VB憑借其優(yōu)異的電氣性能和廣泛的適用性,可以滿足各種高功率、高效率應(yīng)用的需求。
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