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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP06N03LA-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP06N03LA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPP06N03LA-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IPP06N03LA-VB** 是一款高性能單N通道MOSFET,采用TO220封裝,專(zhuān)為中低電壓、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。它采用了Trench技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)秀的開(kāi)關(guān)性能。該MOSFET的最大漏極源極電壓為30V,柵極-源極電壓為±20V,能夠處理高達(dá)70A的漏極電流。其低RDS(on)值(在VGS=4.5V時(shí)為10mΩ,在VGS=10V時(shí)為7mΩ)使得其在高效率開(kāi)關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**:TO220
- **配置**:?jiǎn)蜰通道
- **最大漏極源極電壓 (VDS)**:30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(on))**:
 - 10mΩ @ VGS = 4.5V
 - 7mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:70A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **開(kāi)關(guān)電源**:在開(kāi)關(guān)電源中,IPP06N03LA-VB的低RDS(on)特性有助于減少開(kāi)關(guān)損耗和提高整體系統(tǒng)效率。它可以作為主開(kāi)關(guān)元件,優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能效和穩(wěn)定性。

2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:作為同步整流器,IPP06N03LA-VB能夠有效地降低轉(zhuǎn)換過(guò)程中的功率損耗。其高電流處理能力使其適合用于高效DC-DC轉(zhuǎn)換器,提升系統(tǒng)性能。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,這款MOSFET能夠處理高電流且保持低導(dǎo)通電阻,確保電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的高效和可靠運(yùn)行。它適用于各種電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路。

4. **電池管理系統(tǒng)**:IPP06N03LA-VB可以用于電池管理系統(tǒng)中,作為開(kāi)關(guān)元件或保護(hù)元件。其高電流承載能力和低RDS(on)特性確保了電池的安全使用和高效能量管理。

5. **LED驅(qū)動(dòng)**:對(duì)于LED照明應(yīng)用,IPP06N03LA-VB能夠提供穩(wěn)定的電流供應(yīng),并減少功率損耗,提高LED系統(tǒng)的效率和壽命。

這些應(yīng)用示例展示了IPP06N03LA-VB的多功能性及其在各種電力和電子系統(tǒng)中的潛力。

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