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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP120N04S3-02-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP120N04S3-02-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 180A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP120N04S3-02-VB 產(chǎn)品簡介

IPP120N04S3-02-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用 TO220 封裝,專為高電流、高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款 MOSFET 的漏源電壓為 40V,能夠處理高達(dá) 180A 的漏極電流。其低導(dǎo)通電阻分別為 15mΩ(在 VGS = 4.5V 時(shí))和 2mΩ(在 VGS = 10V 時(shí)),采用先進(jìn)的 Trench(溝槽)技術(shù)制造,確保了出色的功率轉(zhuǎn)換效率和最低的功率損耗。該 MOSFET 的工作電壓范圍和電流處理能力使其適合多種高功率應(yīng)用。

### 二、IPP120N04S3-02-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220
- **極性**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 15mΩ(VGS = 4.5V),2mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏極電流 (ID)**: 180A
- **技術(shù)**: Trench(溝槽)技術(shù)
- **最大功率耗散 (Ptot)**: 150W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +175°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

1. **電源管理和轉(zhuǎn)換**  
  IPP120N04S3-02-VB 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,非常適合用于電源管理系統(tǒng),包括開關(guān)電源 (SMPS) 和電源分配模塊。這種 MOSFET 能夠在高功率轉(zhuǎn)換過程中實(shí)現(xiàn)高效能量傳輸,從而提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制**  
  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,尤其是大功率直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,IPP120N04S3-02-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻可以有效地控制電機(jī)驅(qū)動(dòng)電流,并減少熱量生成,從而提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的可靠性和效率。

3. **汽車電子**  
  該 MOSFET 適用于汽車電氣系統(tǒng)中的各種應(yīng)用,如電池管理系統(tǒng)、逆變器和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)。由于其高電流承載能力和低功率損耗特性,IPP120N04S3-02-VB 可以有效地管理汽車中的高功率電子設(shè)備。

4. **太陽能逆變器**  
  在光伏逆變器中,IPP120N04S3-02-VB 的高效能量傳輸能力和低導(dǎo)通電阻使其成為理想選擇。這種 MOSFET 可以處理高電流并最大化能量轉(zhuǎn)換效率,提高太陽能系統(tǒng)的整體性能。

5. **不間斷電源 (UPS)**  
  在 UPS 系統(tǒng)中,IPP120N04S3-02-VB 提供了穩(wěn)定的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,有助于提高 UPS 的性能。它可以確保在電力中斷時(shí),系統(tǒng)能夠快速切換并提供可靠的電力支持。

IPP120N04S3-02-VB 的高性能特點(diǎn)使其在各種高功率應(yīng)用中都表現(xiàn)優(yōu)異,是現(xiàn)代電力電子設(shè)備中的關(guān)鍵組件。

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