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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP120N04S4-02-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP120N04S4-02-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 180A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPP120N04S4-02-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPP120N04S4-02-VB 是一款高性能N通道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)設(shè)計(jì),封裝為T(mén)O220。這款MOSFET具有優(yōu)異的電氣性能,特別適合需要高電流處理和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用。其漏源電壓(VDS)額定為40V,連續(xù)漏電流(ID)高達(dá)180A。MOSFET在VGS=10V時(shí)的低RDS(ON)值為2mΩ,確保了極低的功耗和熱量生成,提升了系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝:** TO220
- **配置:** 單N通道
- **漏源電壓(VDS):** 40V
- **柵源電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 3V
- **RDS(ON)(漏源導(dǎo)通電阻):** 15mΩ @ VGS=4.5V;2mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏電流(ID):** 180A
- **技術(shù):** Trench技術(shù),提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
1. **電源管理系統(tǒng):** IPP120N04S4-02-VB 廣泛用于高效的電源管理系統(tǒng),如開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其低RDS(ON)值和高電流能力使其在減少功耗和提升轉(zhuǎn)換效率方面表現(xiàn)出色,非常適合高性能電源應(yīng)用。

2. **汽車(chē)電子:** 在汽車(chē)電子系統(tǒng)中,該MOSFET適用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)(BMS)和電源開(kāi)關(guān)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠處理高負(fù)載情況,確保穩(wěn)定的電力供應(yīng)和高效的能量管理。

3. **工業(yè)控制:** IPP120N04S4-02-VB 也適用于各種工業(yè)控制應(yīng)用,包括電機(jī)控制、自動(dòng)化設(shè)備和大功率開(kāi)關(guān)。由于其強(qiáng)大的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,它可以在高負(fù)載條件下穩(wěn)定工作,提高工業(yè)設(shè)備的可靠性和效率。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品:** 在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如計(jì)算機(jī)電源、智能設(shè)備和充電器,該MOSFET能夠提供高效的電源開(kāi)關(guān)和電池管理功能。其低功耗特性和高效能確保設(shè)備能夠在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中保持穩(wěn)定性能。

總之,IPP120N04S4-02-VB 由于其優(yōu)越的電氣性能和廣泛的應(yīng)用適應(yīng)性,成為多個(gè)領(lǐng)域中高效能和高穩(wěn)定性的理想選擇。

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