--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
- ID 180A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### IPP120N04S4-02-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPP120N04S4-02-VB 是一款高性能N通道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)設(shè)計(jì),封裝為T(mén)O220。這款MOSFET具有優(yōu)異的電氣性能,特別適合需要高電流處理和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用。其漏源電壓(VDS)額定為40V,連續(xù)漏電流(ID)高達(dá)180A。MOSFET在VGS=10V時(shí)的低RDS(ON)值為2mΩ,確保了極低的功耗和熱量生成,提升了系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝:** TO220
- **配置:** 單N通道
- **漏源電壓(VDS):** 40V
- **柵源電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 3V
- **RDS(ON)(漏源導(dǎo)通電阻):** 15mΩ @ VGS=4.5V;2mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏電流(ID):** 180A
- **技術(shù):** Trench技術(shù),提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
1. **電源管理系統(tǒng):** IPP120N04S4-02-VB 廣泛用于高效的電源管理系統(tǒng),如開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其低RDS(ON)值和高電流能力使其在減少功耗和提升轉(zhuǎn)換效率方面表現(xiàn)出色,非常適合高性能電源應(yīng)用。
2. **汽車(chē)電子:** 在汽車(chē)電子系統(tǒng)中,該MOSFET適用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)(BMS)和電源開(kāi)關(guān)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠處理高負(fù)載情況,確保穩(wěn)定的電力供應(yīng)和高效的能量管理。
3. **工業(yè)控制:** IPP120N04S4-02-VB 也適用于各種工業(yè)控制應(yīng)用,包括電機(jī)控制、自動(dòng)化設(shè)備和大功率開(kāi)關(guān)。由于其強(qiáng)大的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,它可以在高負(fù)載條件下穩(wěn)定工作,提高工業(yè)設(shè)備的可靠性和效率。
4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品:** 在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如計(jì)算機(jī)電源、智能設(shè)備和充電器,該MOSFET能夠提供高效的電源開(kāi)關(guān)和電池管理功能。其低功耗特性和高效能確保設(shè)備能夠在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中保持穩(wěn)定性能。
總之,IPP120N04S4-02-VB 由于其優(yōu)越的電氣性能和廣泛的應(yīng)用適應(yīng)性,成為多個(gè)領(lǐng)域中高效能和高穩(wěn)定性的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛